一种耐辐照井型电离室探测器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种耐辐照井型电离室探测器，属于核工业技术领域，包括：壳体和样品架；所述壳体包括：外筒和设置在外筒内部的内筒；所述外筒和内筒底部均密封，外筒和内筒顶部均开口，且外筒和内筒顶部之间通过壳体顶盖连接；其中，所述样品架卡接在内筒上；所述外筒和内筒之间设有收集极和两个高压极，其中，两个高压极分别位于收集极的两侧，且在高压极与收集极之间填充有惰性气体。本实用新型专利技术通过将样品置于井型电离室的电离井中样品架上，用电离室探测器测量样品的总γ放射性水平。测量信号先后经过转换、放大和收集步骤，并运用前置处理器中ARM处理系统进行数据处理，最终可得到样品中总γ放射性活度浓度。到样品中总γ放射性活度浓度。到样品中总γ放射性活度浓度。

【技术实现步骤摘要】
一种耐辐照井型电离室探测器


[0001]本技术涉及核工业
，具体涉及一种耐辐照井型电离室探测器。

技术介绍

[0002]热室是核材料生产和处理中广泛应用的基础设施，由于其内部存在极强的辐射活性物质及强腐蚀气氛环境，普通测量装置无法达到在此环境下工作的要求。
[0003]目前，市场上的井型电离室不能同时满足热室内高辐照、强腐蚀、易电离气氛环境条件下，对装置的可耐辐照和优良电气机械性能等一系列要求。
[0004]为实现热室内部放射性样品的总γ活度测量，井型电离室的使用、检修、维护需具备耐辐照功能，因此，需要设计一种能够实现在热室环境下实现放射性样品总γ活度的定量或半定量测定的监测装置。

技术实现思路

[0005]本技术针对上述问题，提供一种耐辐照井型电离室探测器。
[0006]本技术采用的技术方案为：一种耐辐照井型电离室探测器，包括：壳体和样品架；
[0007]所述壳体包括：外筒和设置在外筒内部的内筒；所述外筒和内筒底部均密封，外筒和内筒顶部均开口，且外筒和内筒顶部之间通过壳体顶盖连接；其中，所述样本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种耐辐照井型电离室探测器，其特征在于，包括：壳体和样品架；所述壳体包括：外筒和设置在外筒内部的内筒；所述外筒和内筒底部均密封，外筒和内筒顶部均开口，且外筒和内筒顶部之间通过壳体顶盖连接；其中，所述样品架卡接在内筒上；所述外筒和内筒之间设有收集极和两个高压极，其中，两个高压极分别位于收集极的两侧，且在高压极与收集极之间填充有惰性气体；所述收集极和高压极的上端于壳体顶盖之间均设有隔离件；所述壳体外底部下方设有隔离盖子，所述隔离盖子与壳体外底部之间留有间距，且隔离盖子外侧与壳体外侧之间密封连接；其中，所述隔离盖子与壳体外底部之间设有陶瓷电极和充气管；所述陶瓷电极和充气管均贯穿连接在壳体外底部上。2.根据权利要求1所述的耐辐照井型电离室探测器，其特征在于，所述隔离件包括：顶部隔离件和底部隔离件；所述顶部隔离件包括：顶部内隔离件、顶部中隔离件和顶部外隔离件；其中，所述顶部内隔离件设置在收集极与内筒之间的高压极上端，所述顶部中隔离件设置在收集极的上端，所述顶部外隔离件设置在外筒与收集极之间的高压极上端；所述底部隔离件包括：底部内隔离件、底部中隔离件和底部外隔离件；其中，所述底部内隔离件设置在收集极与内筒之间的高压极下端，所述底部中隔离件设置在收集极的下端，所述底部外隔离件设置在外筒与收集极之间的高压极下端。3.根据权利要求1所述的耐辐照井型电离室探测器，其特征在于，所述隔离盖子内端面上设有底盖，所述底盖...

【专利技术属性】
技术研发人员：张样林，曲广卫，刘朋波，侯彦辉，海建中，常贤龙，刘辉，曲锐，牛玉宁，
申请(专利权)人：陕西卫峰核电子有限公司，
类型：新型
国别省市：