【技术实现步骤摘要】
FeSe超导纳米线及其制备方法
[0001]本专利技术涉及超导
,特别涉及一种FeSe超导纳米线及其制备方法,该FeSe超导纳米线可用于高温超导纳米线单光子探测器。
技术介绍
[0002]超导纳米线单光子探测器是一种最新的单光子检测技术,它可以高效、快速、准确地探测单光子,并且暗计数低、响应频谱宽,是当前单光子探测技术研究领域中的热门研究方向。
[0003]现有的超导纳米线单光子探测器所使用的通常是NbN超导纳米线,但是NbN超导纳米线的超导转变温度低于10K,导致制冷成本较大。因此,如何提供一种超导转变温度较高的超导纳米线,从而降低制冷成本,并使得超导纳米线单光子探测器可以应用于高温领域,成为本领域一项亟待解决的技术问题。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的是提供一种可用于高温超导纳米线单光子探测器的FeSe超导纳米线及其制备方法,以提高FeSe超导纳米线的稳定性和使用寿命,降低超导纳米线单光子探测器的制冷成本,并使得超导纳米线单光子探测器可以应用于高温领域。
[0005]为达 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种可用于测试的FeSe超导纳米线,其特征在于,包括:钛酸锶衬底,所述钛酸锶衬底的上表面经刻蚀形成凸起的弓字形钛酸锶纳米线以及与所述弓字形钛酸锶纳米线相连的多个用于测试的电极;FeSe外延层,覆盖于所述钛酸锶衬底的上表面,其中,位于所述弓字形钛酸锶纳米线顶部的FeSe外延层用于形成弓字形FeSe纳米线,位于所述电极顶部的FeSe外延层用于形成探针结构;FeTe外延层,覆盖于所述FeSe外延层的上表面;介质保护层,覆盖于所述FeSe外延层的侧壁及所述FeTe外延层的上表面与侧壁。2.根据权利要求1所述的FeSe超导纳米线,其特征在于,所述弓字形钛酸锶纳米线包括弯曲部与直线部,所述弯曲部的数量为1个至10个,所述直线部的线宽为50nm~100nm,所述弯曲部的线宽为所述直线部的线宽的2倍至4倍,相邻直线部的间距为50nm~100nm,所述直线部的线宽与相邻直线部的间距的比值为1:1~1:3;所述弓字形钛酸锶纳米线凸起的高度为25nm~70nm。3.根据权利要求1所述的FeSe超导纳米线,其特征在于,所述电极凸起的高度为25nm~70nm,所述电极在平行于所述钛酸锶衬底的上表面方向上的截面形状为矩形,所述矩形的边长为100μm~300μm。4.根据权利要求1所述的FeSe超导纳米线,其特征在于,所述FeSe外延层为1~3个FeSe原子层,所述FeSe外延层的厚度为0.5nm~1.5nm。5.根据权利要求1所述的FeSe超导纳米线,其特征在于,所述FeTe外延层为10~40个FeTe原子层,所述FeTe外延层的厚度为5...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘洪刚,刘建华,孙兵,常虎东,翟明龙,
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所,
类型:发明
国别省市:
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