非真空坩埚下降法生长锂铊共掺碘化钠闪烁晶体的方法技术

本发明专利技术涉及非真空坩埚下降法生长锂铊共掺碘化钠闪烁晶体的方法，包括：（1）选用NaI、6LiX和TlX作为原料，再与脱氧剂混合后，置于坩埚中并密封；（2）将密封后的坩埚竖直置于晶体生长炉的中间位置，然后升温至700～1000℃并保温一定时间，使原料完全熔融；（3）设置固液界面的温度梯度为10～50℃/cm，坩埚下降速度为0.1～10mm/小时，开始锂铊共掺碘化钠闪烁晶体的生长；（4）生长结束后，降至室温。降至室温。降至室温。

【技术实现步骤摘要】
非真空坩埚下降法生长锂铊共掺碘化钠闪烁晶体的方法


[0001]本专利技术涉及一种锂铊共掺杂碘化钠闪烁晶体的制备方法，具体涉及一种非真空坩埚下降法生长锂铊共掺碘化钠闪烁晶体的方法，属于晶体生长技术和辐射探测领域。

技术介绍

[0002]诞生于上世纪中叶的掺铊碘化钠(NaI:Tl)闪烁晶体因具有高光输出、好的能量分辨率和大尺寸晶体易于低成本制作等优势而成为辐射探测材料中的常青树，2013年，芬兰辐射与核安全局根据NaI晶体中的
127
I和
23
Na吸收中子后产生
128
I和
24
Na，同时放出伽马射线的反应，用4
”×4”×
16”(英寸)的NaI晶体制做成门式中子
‑
伽马探测器，测得对
252
Cf的绝对探测效率是0.84cps/ng，低于3He的探测效率(1.1cps/ng)，分析认为造成这一差距的原因是NaI晶体中的中子敏感核素丰度太低所致。如果不改变成分，晶体体积需要增加到12升才能满足实际需求，这对晶体生长显然是一个无本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种非真空坩埚下降法生长锂铊共掺碘化钠闪烁晶体的方法，其特征在于，所述锂铊共掺碘化钠闪烁晶体的组成通式为(Na1‑
a
‑
b6
Li
a
Tl
b
)(I1‑
a
‑
b
+X
a+b
)，其中X为卤族元素，选自F、Cl、Br、I中的至少一种，0＜a≤0.2，0＜b≤0.01；所述非真空坩埚下降法生长锂铊共掺碘化钠闪烁晶体的方法包括：（1）选用NaI、6LiX和 TlX作为原料，再与脱氧剂混合后，置于坩埚中并密封；（2）将密封后的坩埚竖直置于晶体生长炉的中间位置，然后升温至700～1000℃并保温一定时间，使原料完全熔融；（3）设置固液界面的温度梯度为10～50 ℃/cm，坩埚下降速度为0.1～10mm/小时，开始锂铊共掺碘化钠闪烁晶体的生长；（4）生长结束后，降至室温。2.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴云涛，史坚，李焕英，任国浩，
申请(专利权)人：中国科学院上海硅酸盐研究所，
类型：发明
国别省市：