【技术实现步骤摘要】
一种具有片层结构
β-SiC及其制备方法
[0001]本专利技术涉及碳化硅陶瓷材料领域，尤其涉及一种具有片层结构β-SiC粉体及其制备方法。
技术介绍
[0002]碳化硅陶瓷具有高硬度、耐高温、耐氧化、化学稳定性好、抗热震性好的特点，能够广泛应用在机械、航空、化工、冶金等领域，尤其适合热性能要求较高的领域。目前β-SiC的典型制备方法包括以下几种：
[0003](1)反应烧结法，如CN107602131A中提到，采用碳化硅粗粉i，碳化硅细分粉ii，石墨烯纳米片、木炭黑、硅粉、分散剂、粘合剂，通过反应烧结制备β-SiC，其中石墨烯纳米片为硅碳反应提供了碳源，与硅反应后生成的碳化硅具有典型的层状结构，能够提高β-SiC的力学性能。如CN104926313A中提到，采用碳化硅、石墨烯、碳粉、表面活性剂、分散剂等，通过混合成型高温下反应烧结可以制备得到致密碳化硅。但是反应烧结法原料复杂、耗能高、时间久，通常易含有游离硅，工业化成本高。
[0004](2)微波反应法，张浩在“微波制备碳化硅及其电磁屏蔽”中提到，...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种具有片层结构的β-SiC陶瓷材料，其特征在于，所述片层结构为表面完全开放的薄片状结构，片层直径在4-30μm之间，片层厚度为200～500nm；在片层结构的边缘存在β-SiC纳米晶须，所述β-SiC纳米晶须的长径比为10～30；片层结构内部包括相互交错、细小且短的SiC纳米晶须、以及相互连接的SiC纳米颗粒。2.如权利要求1所述的具有片层结构的β-SiC陶瓷材料，其特征在于，所述片层结构内部的SiC纳米晶须的长径比为5-12。3.如权利要求1所述的具有片层结构的β-SiC陶瓷材料，其特征在于，片层结构内部的SiC纳米颗粒尺寸为100～300nm。4.如权利要求1所述的具有片层结构的β-SiC陶瓷材料的制备方法，其特征在于，采用石墨烯作为碳源，采用硅粉作为硅源，将硅粉与石墨烯混合均匀，干燥过筛，将碳硅混合粉体装入反应舟中，碳硅混合粉体四周以铝热剂作化学炉，并置于燃烧合成反应釜中，通入1-3MPa氮气，通过引燃化学炉使得碳硅混合粉体发生燃烧合成反应，制备具有片层结构的β-SiC粉体。5.如权利要求4所述的具有片层结构的β-SiC陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述化学炉采用Ti、C混合粉体与Al、Fe2O3混合粉体作为...
【专利技术属性】
技术研发人员：李江涛，王丽圆，杨增朝，贺刚，
申请(专利权)人：中国科学院理化技术研究所，
类型：发明
国别省市：
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