一种碳化硅粉料的合成方法技术

本发明专利技术提供了一种碳化硅粉料的合成方法，包括如下步骤：将碳粉和硅粉混合后再向所述的碳粉和硅粉的混合料中加入聚碳硅烷纤维，以混合得到原料；以及将所述的原料置于加热炉中进行经至少二次加热，得到所述的碳化硅粉料。本发明专利技术提供了一种碳化硅粉料的合成方法，该方法所得到的碳化硅粉料具有颗粒大、纯度高、半绝缘晶体电学性能佳的优点，且聚合物聚碳硅烷在受热时发生分解，降低与C竞位的元素N的含量，提高原料纯度。提高原料纯度。提高原料纯度。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅粉料的合成方法


[0001]本专利技术涉及碳化硅单晶生长材料
，具体公开了一种碳化硅粉料的合成方法。

技术介绍

[0002]碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料，因其具有宽禁带[(2.3～3.3)eV]、高击穿电场[(0.8～3.0)
×
106V/cm]、电子饱和漂移速度高(2
×
107cm/s)、高热导率(4.9Wcm
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1)等特点，突破硅基半导体材料物理限制，这些特性可以使SiC器件工作在高温/高功率和高频特殊条件，是制造高性能电力电子器件、大功率固体微波器件和固体传感器等新型器件以及耐高温集成电路的优选材料，从而广泛应用于石油、化学、汽车、航空、航天、通信、武器等行业，目前，受益于5G通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等领域的发展，碳化硅需求增速可观。
[0003]但是目前的碳化硅粉料影响半绝缘晶体电学性能，且影响碳化硅颗粒的纯度和晶体的生长，导致碳化硅颗粒尺寸小。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于克服本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅粉料的合成方法，其特征在于，包括如下步骤：将碳粉和硅粉混合后再向所述的碳粉和硅粉的混合料中加入聚碳硅烷纤维，以混合得到原料；以及将所述的原料置于加热炉中进行经至少二次加热，得到所述的碳化硅粉料。2.根据权利要求1所述的碳化硅粉料的合成方法，其特征在于，所述碳粉和所述硅粉的摩尔比为1:1～1:2。3.根据权利要求2所述的碳化硅粉料的合成方法，其特征在于，所述碳粉的纯度至少为99.9999％，所述硅粉的纯度至少为99.9999％。4.根据权利要求1所述的碳化硅粉料的合成方法，其特征在于，所述聚碳硅烷纤维是经过熔融纺丝得到，所述聚碳硅烷纤维的软化点≥250℃，且所述聚碳硅烷纤维分布于所述碳粉和所述硅粉内。5.根据权利要求4所述的碳化硅粉料的合成方法，其特征在于，所述聚碳硅烷的添加量是所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈豆，李坚，潘尧波，
申请(专利权)人：中电化合物半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：