【技术实现步骤摘要】
本技术涉及的是与电力系统并联，对无功功率进行调节的静止无功补偿装置。现有静止无功补偿装置有饱和电抗器型、可控硅控制电容器型、可控硅控制电抗器型。饱和电抗器型静止无功补偿装置主要由饱和电抗器、固定式并联电容器组、控制器组成，利用饱和电抗器的电抗值变化来控制系统的功率因数，由于电抗器工作在磁饱和状态产生很多谐波，需配有滤波装置，并且饱和电抗器的损耗较高。可控硅控制电容器型静止无功补偿装置由可控硅切换控制的电容器组、并联电抗器、控制器组成，其通过改变可控硅的导通角改变流过电容器组的电流，相当于改变了电容器组的电容量，改变电容器组的容抗，改变系统的功率因素，其由于可控硅导通与断开时产生大量谐波，所以必须配有滤波装置。可控硅控制电抗器型静止无功补偿装置由可控硅控制的电抗器、固定式并联电容器组、控制器组成，改变可控硅的导通角改变流过电抗器的电流，改变电抗器的感抗值，调整系统的功率因素，其同样由于可控硅导通与断开时产生大量谐波，所以必须配有滤波装置吸收谐波。本技术的目的是提供一种结构简单，可靠，性能好，适应性强，造价低的静止无功补偿装置。本技术的技术方案是由并联电容器组1...
【技术保护点】
一种静止无功补偿装置，其特征在于，由并联电容器组（１）、与并联电容器组（１）串联的串联电抗器（２）、与电容器组（１）并联的可调电抗器（３）、控制器组成，控制器由电压互感器（４０）、电流互感器（４１）、相敏整流器（４２）、放大器（４３）、可控硅触发角控制器（４４）、可控硅整流器（４５）组成，可调电抗器（３）由口字型铁芯（３０），在其两柱铁芯（３１ａ、３１ｂ）上分别绕有主绕组（３２ａ、３２ｂ），两柱铁芯（３１ａ、３１ｂ）上的主绕组线圈（３２ａ、３２ｂ）串联，主绕组的两端Ａ、Ｎ分别与火线和地线相连，即与电容器组（１）并联，在该口字型铁芯（３０）的中间，前后设置有两个控制铁芯（３３...
【技术特征摘要】
1.一种静止无功补偿装置，其特征在于，由并联电容器组(1)、与并联电容器组(1)串联的串联电抗器(2)、与电容器组(1)并联的可调电抗器(3)、控制器组成，控制器由电压互感器(40)、电流互感器(41)、相敏整流器(42)、放大器(43)、可控硅触发角控制器(44)、可控硅整流器(45)组成，可调电抗器(3)由口字型铁芯(30)，在其两柱铁芯(31a、31b)上分别绕有主绕组(32a、32b)，两柱铁芯(31a、31b)上的主绕组线圈(32a、32b)串联，主绕组的两端A、N分别与火线和地线相连，即与电容器组(1)并联，在该口字型铁芯(30)的中间，前后设置有两个控制铁芯(33a、33b)，其分别绕有控制绕组(34a、34b)，两控制绕组线圈(34a、34b)串联，控制绕组的两端k1、k2分别与可控硅整流器(45)输出端相连。2.如权利要求1所述的静止无功补偿装置，其特征在于，由三组并联电容器组(1A、1B、1C)，分别与三组并联电容器组(1A、1B、1C)串联的三个串联电抗器(2A、2B、2C)，三相可调电抗器(3′)、控制...
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