发光二极管及发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体光电器件技术领域，特别涉及一种发光二极管及发光装置。为解决现有发光二极管的金属层在绝缘层上的附着力不足，所述发光二极管包括：半导体外延叠层，其包含依次层叠设置的第一导电类型半导体层、发光层以及第二导电类型半导体层；界面过渡层，位于所述半导体外延叠层之上；所述界面过渡层包括绝缘金属氧化物、或者绝缘金属氧化物的叠层；所述界面过渡层与所述半导体外延叠层之间设有第一绝缘层；金属层，覆盖部分所述界面过渡层表面，并与所述半导体外延叠层电性连接。本发明专利技术提供的发光二极管具有高可靠性。明提供的发光二极管具有高可靠性。明提供的发光二极管具有高可靠性。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管及发光装置


[0001]本专利技术涉及半导体光电器件
，特别涉及一种发光二极管及发光装置。

技术介绍

[0002]发光二极管（英文Light Emitting Diode，简称LED）包含有不同的发光材料及发光部件，是一种固态半导体发光元件。它因成本低、功耗低、光效高、体积小、节能环保、具有良好的光电特性等优点而被广泛应用于照明、可见光通信及发光显示等各种场景。现有发光二极管的金属层在绝缘层上的附着力不足。

技术实现思路

[0003]为解决现有发光二极管的金属层在绝缘层上的附着力不足，本专利技术提供一种具有高可靠性的发光二极管。
[0004]本专利技术实施例所采用的技术方案如下：具体来说，本专利技术一实施例提供一种发光二极管，包括：半导体外延叠层，其包含依次层叠设置的第一导电类型半导体层、发光层以及第二导电类型半导体层；界面过渡层，位于所述半导体外延叠层之上；所述界面过渡层与所述半导体外延叠层之间设有第一绝缘层；金属层，覆盖部分所述界面过渡层表面，并与所述半导体外延叠层电性连接。/>[0005]本专本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，包括：半导体外延叠层（20），其包含依次层叠设置的第一导电类型半导体层（21）、发光层（22）以及第二导电类型半导体层（23）；界面过渡层（30），位于所述半导体外延叠层（20）之上；所述界面过渡层（30）包括绝缘金属氧化物、或者绝缘金属氧化物的叠层；所述界面过渡层（30）与所述半导体外延叠层（20）之间设有第一绝缘层（50）；金属层（60），覆盖部分所述界面过渡层（30）表面，并与所述半导体外延叠层（20）电性连接。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述界面过渡层（30）的厚度在3nm以上且400nm以下。3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述界面过渡层（30）的厚度在10nm以上且200nm以下。4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述界面过渡层（30）的折射率在1.5以上且3.5以下。5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述绝缘金属氧化物包括TiO2、ZrO2、HfO2、Ta2O5、Al2O3、Nb2O5、Y2O3、MgO、La2O3、SrTiO3、BaTiO3、或CeO2中的至少一种。6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述界面过渡层（30）与所述金属层（60）的接触面由不同绝缘金属氧化物形成连续或间断的交替面。7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一绝缘层（50）的厚度为 50～2400nm。8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一绝缘层（50）至少包括SiO2、SiN、SiO
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、TiO2、Si3N4、Al2O3、TiN、AlN、ZrO2、TiAlN、TiSiN、HfO2、TaO2和MgF2中的一种或其组合。9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述界面过渡层（30）与所述半导体外延叠层（20）之间还设有电流扩展层（40），部分所述金属层（60）通过所述电流扩展层（40）与所述半导体外延叠层（20）电性连接。10.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于：所述第一绝缘层（50）至少覆盖部分所述电流扩展层（40）靠近金属层（60）一侧的表面，所述界面过渡层（30）具有图案化的第一通孔结构（301），所述第一绝缘层（50）具有图案化的第二通孔结构（501）；至少部分所述金属层（60）依次通过所述第一通孔结构（301）、第二通孔结构（501）与所述电流扩展层（40）相接触，至少部分所述电流扩展层（40）与所述半导体外延叠层（20）相接触。11.根据权利要求10所述的发光二极管，其特征在于：所述第一通孔结构（...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢昆达，林芳芳，韩涛，杨欣欣，温兆军，张中英，
申请(专利权)人：泉州三安半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：