紫外发光二极管芯片及其制备方法技术

本公开提供了一种紫外发光二极管芯片及其制备方法，包括：衬底、第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层、反射镜层、第一电极和第二电极；第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层依次层叠于衬底的表面，第二半导体层的表面具有露出第一半导体层的凹槽，第一电极位于凹槽内且与第一半导体层接触，第二电极位于第二半导体层的表面；反射镜层包括依次层叠在第二半导体层的表面上的第一绝缘层、金属反射层和第二绝缘层，第一绝缘层、金属反射层和第二绝缘层均延伸至凹槽内，第一绝缘层部分位于第一电极和第二电极表面。本公开能提升紫外发光二极管芯片的发光效果，且有效防止封装后锡扩散而导致漏电的问题，提高芯片的可靠性。提高芯片的可靠性。提高芯片的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
紫外发光二极管芯片及其制备方法


[0001]本公开涉及光电子制造
，特别涉及一种紫外发光二极管芯片及其制备方法。

技术介绍

[0002]发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，广泛应用于照明、显示屏、信号灯、背光源、玩具等领域。LED的核心结构是外延片，外延片的制作对LED的光电特性有着较大的影响。
[0003]相关技术中，发光二极管芯片发光效果差，且芯片在封装后，使用过程中容易出现锡扩散至芯片的电路层的问题，进而导致芯片漏电失效的问题。

技术实现思路

[0004]本公开实施例提供了一种紫外发光二极管芯片及其制备方法，能提升紫外发光二极管芯片的发光效果，且有效防止封装后锡扩散而导致漏电的问题，提高芯片的可靠性。所述技术方案如下：
[0005]本公开实施例提供了一种紫外发光二极管芯片，所述紫外发光二极管芯片包括：衬底、第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层、反射镜层、第一电极和第二电极；所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种紫外发光二极管芯片，其特征在于，所述紫外发光二极管芯片包括：衬底(10)、第一半导体层(21)、多量子阱层(22)、第二半导体层(23)、反射镜层(30)、第一电极(51)和第二电极(52)；所述第一半导体层(21)、所述多量子阱层(22)和所述第二半导体层(23)依次层叠于所述衬底(10)的表面，所述第二半导体层(23)的表面具有露出所述第一半导体层(21)的凹槽(24)，所述第一电极(51)位于所述凹槽(24)内且与所述第一半导体层(21)接触，所述第二电极(52)位于所述第二半导体层(23)的表面；所述反射镜层(30)包括依次层叠在所述第二半导体层(23)的表面上的第一绝缘层(31)、金属反射层(32)和第二绝缘层(33)，所述第一绝缘层(31)、所述金属反射层(32)和所述第二绝缘层(33)均延伸至所述凹槽(24)内，所述第一绝缘层(31)部分位于所述第一电极(51)和所述第二电极(52)表面。2.根据权利要求1所述的紫外发光二极管芯片，其特征在于，所述第二半导体层(23)还包括露出所述衬底(10)的隔离槽(25)，所述隔离槽(25)环绕所述第一半导体层(21)、所述多量子阱层(22)和所述第二半导体层(23)，所述反射镜层(30)延伸至所述隔离槽(25)。3.根据权利要求2所述的紫外发光二极管芯片，其特征在于，所述金属反射层(32)在所述衬底(10)表面的正投影位于所述第一绝缘层(31)在所述衬底(10)表面的正投影内，且位于所述第二绝缘层(33)在所述衬底(10)表面的正投影内；或者，在所述隔离槽(25)中，所述第一绝缘层(31)在所述衬底(10)表面的正投影、所述金属反射层(32)在所述衬底(10)表面的正投影和所述第二绝缘层(33)在所述衬底(10)表面的正投影均重合；所述金属反射层(32)具有绝缘槽(36)，所述绝缘槽(36)贯通所述金属反射层(32)，且从所述金属反射层(32)的一边延伸至另一边，以隔开所述第一电极(51)和所述第二电极(52)。4.根据权利要求3所述的紫外发光二极管芯片，其特征在于，在平行于所述衬底(10)的方向上，所述金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐盛海，刘源，张威，林凡，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：