一种半导体器件及其制备方法技术

本申请提供一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：先在半导体层上蒸镀形成关键层金属，然后利用倾角蒸镀的形式使得窗口内缩，接着在关键层金属上蒸镀形成第一上层金属得到叠层金属，使得第一上层金属与关键层金属的相对两侧的边缘之间具有第一预设间距。如此，可以使得关键层金属的边缘与半导体层能够充分进行合金化，提高合金反应效率，从而有效降低欧姆接触的电阻。此外，在欧姆金属退火后，还可以使得欧姆金属的边缘起伏较小，较为平整，从而提高器件栅源和栅漏之间的可靠性，增强器件的耐击穿能力。增强器件的耐击穿能力。增强器件的耐击穿能力。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制备方法


[0001]本申请涉及半导体
，具体而言，涉及一种半导体器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]半导体器件是用半导体材料作为工作物质的器件，具有小巧、高效、寿命长、易于集成等诸多优点，因而被广泛应用于成像、通信、机械加工等领域。但随着科技的进步，对于半导体器件也有了更高的需求。
[0003]对于欧姆金属来讲，通常为了获得较佳的性能，欧姆金属会是多层金属组成的叠层，且为了使得欧姆金属能够与半导体层形成欧姆接触，会进行多层合金化过程，但是由于耦合因素多，例如不同金属的熔点和扩散能力不同，不仅使得欧姆金属的底层与半导体层合金化的效果较差，而且还会导致欧姆金属的边缘呈现明显的起伏，造成了击穿薄弱点集中在退火后欧姆金属突出最大处，易发生电压击穿风险。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种半导体器件及其制备方法，以解决现有欧姆金属的底层与半导体层合金化的效果较差、且易发生电压击穿风险的问题。
[0005]为实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件制备方法，其特征在于，所述方法包括：在半导体层上形成具有第一窗口的光刻胶层；在所述第一窗口内的半导体层上蒸镀形成关键层金属；在所述光刻胶层上通过倾角蒸镀形成具有第二窗口的第一介质层，所述第二窗口位于所述第一窗口的正上方且与所述第一窗口连通形成第三窗口，所述第二窗口的开窗面积小于所述第一窗口的开窗面积；在所述第三窗口内的关键层金属上蒸镀形成第一上层金属以得到叠层金属，其中，所述叠层金属具有相对的第一侧和第二侧，所述第一上层金属和所述关键层金属位于所述第一侧的两边缘和/或所述第二侧的两边缘之间具有第一预设间距。2.如权利要求1所述的半导体器件制备方法，其特征在于，在所述第三窗口内的关键层金属上蒸镀形成第一上层金属以得到叠层金属之后，所述方法还包括：在所述第一介质层上通过倾角蒸镀形成具有第四窗口的第二介质层，所述第四窗口位于所述第二窗口的正上方且与所述第三窗口连通形成第五窗口，所述第四窗口的开窗面积小于所述第二窗口的开窗面积；在所述第五窗口内的第一上层金属上蒸镀形成第二上层金属，所述第二上层金属和所述第一上层金属位于所述第一侧的两边缘和/或所述第二侧的两边缘之间具有第二预设间距。3.如权利要求2所述的半导体器件制备方法，其特征在于，所述第一预设间距和/或所述第二预设间距为0.07μm至0.1μm。4.如权利要求1所述的半导体器件制备方法，其特征在于，所述第一介质层包括层叠的第一子层和第二子层，所述在所述光刻胶层上通过倾角蒸镀形成具有第二窗口的第一介质层包括：在所述光刻胶层上通过第一次倾角蒸镀形成具有窗口的第一子层；在所述第一子层上通过第二次倾角蒸镀形成具有窗口的第二子层，所述第一子层的窗口与所述第二子层的窗口连通形成所述第二窗口，所述第一次倾角蒸镀的原子入射方向沿顺时针方向转动至水平方向所需的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王家鑫，
申请(专利权)人：深圳市时代速信科技有限公司，
类型：发明
国别省市：