一种异面电极氮化铝陶瓷衬底的VCSEL芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种异面电极氮化铝陶瓷衬底的VCSEL芯片，包括有氮化铝陶瓷层，氮化铝陶瓷层的下表面设有P电极，氮化铝陶瓷层的上表面依次设有P

【技术实现步骤摘要】
一种异面电极氮化铝陶瓷衬底的VCSEL芯片


[0001]本技术属于VCSEL芯片
，具体涉及一种异面电极氮化铝陶瓷衬底的VCSEL芯片。

技术介绍

[0002]VCSEL全称Vertical
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cavity Surface
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emitting Laser，是垂直腔面发射激光器，应用于光通信领域(光模块)，3D感测方面(人脸识别，激光雷达)。
[0003]现有VCSEL芯片功率越做越大。随着芯片功率变大的同时也导致了芯片产生热量增加。散热不好让芯片使用寿命降低或失效。为了提高芯片功率，VCSEL芯片尺寸不断增加，相应的不得不减少GaAs衬底厚度。GaAs衬底厚度从原来的120um到100um或80um，甚至现在有公司开始减薄至60um。但是GaAs衬底越薄芯片尺寸越大，芯片的应力也会越大，导致芯片越容易破裂。大大增加了生产工艺难度，降低了产品良率，提升了生产成本。

技术实现思路

[0004]为解决上述技术问题，本技术采用的技术方案是：一种异面电极氮化铝陶瓷衬底的VCSEL芯片，包括有氮本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异面电极氮化铝陶瓷衬底的VCSEL芯片，其特征在于，包括有氮化铝陶瓷层，氮化铝陶瓷层的下表面设有P电极，氮化铝陶瓷层的上表面从下往上依次设有P
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DBR和N
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DBR，P
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DBR内设有若干穿孔，穿孔的下端连接氮化铝陶瓷层，穿孔的上端连接N
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DBR的中部，穿孔内设有绝缘层，氮化铝陶瓷层与P
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DBR之间设有P型金属接触层，氮化铝陶瓷层中设有若干贯穿氮化铝陶瓷层上端面和下端面的P电极金属柱，P电极金属柱的上端连接P型金属接触层，下端连接P电极，P
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DBR和N
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【专利技术属性】
技术研发人员：詹健龙，徐春朝，姜昆，郭飞，
申请(专利权)人：浙江焜腾红外科技有限公司，
类型：新型
国别省市：