一种在输入电压快速通断下的电源保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种在输入电压快速通断下的电源保护电路，属于电路设计技术领域。该电源保护电路包括第一部分电压检测电路，第二部分反向电路以及第三部分延时电路；所述第一部分电压检测电路，由齐纳二极管D1、电阻R1、电阻R3、电阻R4、NPN型三极管Q2组成；所述第二部分反向电路，由NPN型三极管Q1组成；所述第三部分延时电路，由电阻R2、电阻R5、电容C1、电源芯片U1组成。本实用新型专利技术利用齐纳二极管、电阻和NPN型三极管组成的电压检测电路，结合NPN型三极管实现信号反向，外加阻容充放电增加电源芯片的启动延时，电压检测门限和延时时间可调，电源芯片启动缓慢而关断迅速，对电源芯片和后级电路起到了保护作用。和后级电路起到了保护作用。和后级电路起到了保护作用。

【技术实现步骤摘要】
一种在输入电压快速通断下的电源保护电路


[0001]本技术涉及电路设计
，特别涉及一种在输入电压快速通断下的电源保护电路。

技术介绍

[0002]在电子系统中，当电源芯片的输入电压因故障而不稳，甚至快速通断，则电源芯片会反复启动，长此以往会导致电源芯片和后级电路损坏。目前方案主要是在电源芯片的使能脚增加RC电路进行延时启动，如图1。
[0003]该电路中电源芯片启动缓慢关断也缓慢，每次需要等电容的电放干净再上电才能起到理想的延时输出的作用，只适用慢速(秒级)通断电的情况，对快速(毫秒级)通断电的情况效果不大。
[0004]因此，需要一个适用输入电压快速(毫秒级)通断的保护方案，提高电路的可靠性。

技术实现思路

[0005]本技术提供一种在输入电压快速通断下的电源保护电路。
[0006]为解决上述技术问题，本技术所采用的技术方案是：一种在输入电压快速通断下的电源保护电路，所述电路包括第一部分电压检测电路，第二部分反向电路以及第三部分延时电路；
[0007]所述第一部分电压检测电路，由齐纳二极管D1、电阻R1、电阻R3、电阻R4、NPN型三极管Q2组成，所述齐纳二极管D1一端连接输入电压VIN，另一端连接电阻R3，NPN型三极管Q2的集电极通过电阻R1与输入电压VIN相连，NPN型三极管Q2的发射极接地，NPN型三极管Q2的基极通过R3与齐纳二极管D1相连，齐纳二极管D1另一端与输入电压VIN连接，同时，NPN型三极管Q2的基极通过电阻R4接地；
[0008]所述第二部分反向电路，由NPN型三极管Q1组成，NPN型三极管Q1的集电极与电源芯片U1的EN脚(使能引脚)相连，NPN型三极管Q1基极与NPN型三极管Q2的集电极相连， NPN型三极管Q1发射极接地；
[0009]所述第三部分延时电路，由电阻R2、电阻R5、电容C1、电源芯片U1组成，所述电源芯片U1的EN脚通过电阻R2连接到电源VIN上，电源芯片U1的EN脚连接到电容C1的一端，电容C1的另一端连接电阻R5，电阻R5的另一端接地。
[0010]进一步的，所述第一部分电压检测电路，电压检测门限由齐纳二极管D1、电阻R3、电阻 R4的参数来确定。
[0011]进一步的，所述第三部分延时电路中，电阻R5阻值远小于电阻R2的阻值，在延时时间计算上电阻R5的阻值可忽略不计。
[0012]与现有技术相比，该在输入电压快速通断下的电源保护电路具有如下优势：本技术利用齐纳二极管、电阻和NPN型三极管组成的电压检测电路，结合NPN型三极管实现信号反向，外加阻容充放电增加电源芯片的启动延时，电压检测门限和延时时间可调，电源
芯片启动缓慢而关断迅速，很好的适应了快速通断电的输入情况，对电源芯片和后级电路起到了保护作用，避免了电源芯片和后级电路由于反复启动导致的损坏。
附图说明
[0013]图1为目前习惯使用的电源启动延时电路；
[0014]图2为本技术设计的在输入电压快速通断下的电源保护电路。
具体实施方式
[0015]下面结合附图和实施例对本技术进一步说明。需说明的是，下述实施方法是对本技术做的进一步解释说明，不应当作为对本技术的限制。
[0016]一种在输入电压快速通断下的电源保护电路，包括第一部分电压检测电路，第二部分反向电路以及第三部分延时电路；
[0017]第一部分电压检测电路，由齐纳二极管D1、电阻R1、电阻R3、电阻R4、NPN型三极管 Q2组成，齐纳二极管D1一端连接输入电压VIN，另一端连接电阻R3，NPN型三极管Q2的集电极通过上拉电阻R1与输入电压VIN相连，NPN型三极管Q2的发射极接地，NPN型三极管 Q2的基极通过R3与齐纳二极管D1相连，齐纳二极管D1另一端与输入电压VIN连接，同时， NPN型三极管Q2的基极通过下拉电阻R4接地；
[0018]第二部分反向电路，由NPN型三极管Q1组成，NPN型三极管Q1的集电极与电源芯片U1 的EN脚相连，NPN型三极管Q1基极与NPN型三极管Q2的集电极相连，NPN型三极管Q1发射极接地；
[0019]第三部分延时电路，由电阻R2、电阻R5、电容C1、电源芯片U1组成，电源芯片U1的 EN脚通过电阻R2连接到电源VIN上，电源芯片U1的EN脚连接到电容C1的一端，电容C1 的另一端连接电阻R5，电阻R5的另一端接地。
[0020]第一部分电压检测电路，电压检测门限由齐纳二极管D1、电阻R3、电阻R4的参数来确定。
[0021]第三部分延时电路中，电阻R5阻值远小于电阻R2的阻值，在延时时间计算上电阻R5的阻值可忽略不计。
[0022]本技术提供的在输入电压快速通断下的电源保护电路的工作原理如下：
[0023]为便于理解上述方案，在此举例对上述方案进行说明。已知：NPN型三极管Q2基极门限电压为0.7V，齐纳二极管D1＝6.2V，电阻R3＝10kΩ，电阻R4＝10kΩ，则电压检测电路的门限为6.2+0.7+0.7＝7.6V。另外，电阻R2＝1MΩ，电容C1＝22uF，电源芯片U1的EN脚启动门限为2V，则由公式t＝R*C*ln(V
‑
V0/V
‑
Ven)得出启动延时时间t≈4秒，当电源VIN输入低于7.6V 时，NPN型三极管Q2关断，NPN型三极管Q2集电极发出的信号V_D会瞬间变为高电平，NPN 型三极管Q1集电极发出的EN信号随之变为低电平，电源芯片U1关断；当电源VIN高于7.6V 时，NPN型三极管Q2导通，NPN型三极管Q2集电极发出的信号V_D会瞬间变为低电平，NPN 型三极管Q1关断，电源VIN通过电阻R2给电容C2开始充电，EN脚约在4秒后达到启动门限，电源芯片U1开始工作，实现了启动缓慢而关断迅速的效果。所以在快速通断电的输入情况，电源芯片U1也是间隔4秒才启动一次。
[0024]以上所述仅为本技术较佳实例，不能以此限定本技术权利范围，尽管参
照前述实施例对本技术进行了详细说明，本领域技术人员依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本技术的精神和原则之内，所作任何修改、等同替换、改进等，均属于本技术所涵盖范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种在输入电压快速通断下的电源保护电路，其特征在于，所述电路包括第一部分电压检测电路，第二部分反向电路以及第三部分延时电路；所述第一部分电压检测电路，由齐纳二极管D1、电阻R1、电阻R3、电阻R4、NPN型三极管Q2组成，所述齐纳二极管D1一端连接输入电压VIN，另一端连接电阻R3，NPN型三极管Q2的集电极通过电阻R1与输入电压VIN相连，NPN型三极管Q2的发射极接地，NPN型三极管Q2的基极通过R3与齐纳二极管D1相连，齐纳二极管D1另一端与输入电压VIN连接，同时，NPN型三极管Q2的基极通过电阻R4接地；所述第二部分反向电路，由NPN型...

【专利技术属性】
技术研发人员：张雨龙，席颖，吴小任，刘琦，
申请(专利权)人：施耐德万高天津电气设备有限公司，
类型：新型
国别省市：