一种集成PMBus接口的MOSFET热插拔保护器制造技术

本发明专利技术公开了一种集成PMBus接口的MOSFET热插拔保护器，包括：主功率电源输入引脚VIN，保护器输出引脚OUT，功率地引脚GND，所述保护器输出引脚OUT和功率地引脚GND之间连接有肖特基二极管；PMBus时钟引脚SCL、PMBus数据引脚SDA、PMBus警告引脚ALERT#和PMBus从地址设定引脚ADDR，所述PMBus警告引脚ALERT#为开放漏级输出，且低电平有效，通过所述PMBus从地址设定引脚ADDR设定保护器的PMBus地址。本发明专利技术中，本保护器是一款集成MOSFET的热插拔保护器，用于保护保护器输出端的电路不收输入端瞬态的影响，同时也可以保护输入不受输出短路以及输出瞬态的影响，启动期间，通过控制保护器输出电压的上升速率来限制输入的冲击电流。电压的上升速率来限制输入的冲击电流。电压的上升速率来限制输入的冲击电流。

【技术实现步骤摘要】
一种集成PMBus接口的MOSFET热插拔保护器


[0001]本专利技术涉及热插拔保护器
，尤其涉及一种集成PMBus接口的MOSFET热插拔保护器。

技术介绍

[0002]热插拔即带电插拔，热插拔功能就是允许用户在不关闭系统，不切断电源的情况下取出和更换损坏的硬盘、电源或板卡等部件，从而提高了系统对灾难的及时恢复能力、扩展性和灵活性等，例如一些面向高端应用的磁盘镜像系统都可以提供磁盘的热插拔功能，热插拔电路设计应用非常广泛，作用是对热插拔的设备的元器件、芯片的一种保护措施，本专利技术提供一种集成PMBus接口的MOSFET热插拔保护器。

技术实现思路

[0003]为了解决上述
技术介绍
中所提到的技术问题，而提出的一种集成PMBus接口的MOSFET热插拔保护器。
[0004]为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：
[0005]一种集成PMBus接口的MOSFET热插拔保护器，包括：
[0006]主功率电源输入引脚VIN，保护器输出引脚OUT，功率地引脚GND，所述保护器输出引脚OUT和功率本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成PMBus接口的MOSFET热插拔保护器，其特征在于，包括：主功率电源输入引脚VIN，保护器输出引脚OUT，功率地引脚GND，所述保护器输出引脚OUT和功率地引脚GND之间连接有肖特基二极管；过压检测输入引脚OV，所述过压检测输入引脚OV设置为高电平将关闭保护器的主功率MOSFET，通过将过压检测输入引脚OV连接到外部电阻分压器来设定电压保护阈值；输出电流检测引脚IMON，所述输出电流检测引脚IMON提供与流经功率MOSFET成正比的电压信号，通过设定输出电流检测引脚IMON与功率地引脚GND的电阻来设定电流与电压信号的增益；PMBus时钟引脚SCL、PMBus数据引脚SDA、PMBus警告引脚ALERT#和PMBus从地址设定引脚ADDR，所述PMBus警告引脚ALERT#为开放漏级输出，且低电平有效，通过所述PMBus从地址设定引脚ADDR设定保护器的PMBus地址。2.根据权利要求1所述的一种集成PMBus接口的MOSFET热插拔保护器，其特征在于，还包括内部3.3VLDO输出引脚VCC，所述保护器的控制电路均由此电压供电，所述内部3.3VLDO输出引脚VCC上设有1μF的瓷片电容，且位置靠近内部3.3VLDO输出引脚VCC的管脚。3.根据权利要求1所述的一种集成PMBus接口的MOSFET热插拔保护器，其特征在于，还包括时钟设定引脚TIMER，通过所述时钟设定引脚TIMER到功率地引脚GND的外部电容，设定热插拔时的电路的延时时间、故障超时周期以及重启时间。4.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：张维，
申请(专利权)人：南京矽美半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：