本发明专利技术公开了一种半导体用BOE蚀刻液制备装置,包括制备桶、用于放置制备桶的仿形座和制备搅拌机构，仿形座的内壁设置有与制备桶相适配的冷却水套，制备桶的顶部向外成型有用于搭接在仿形座上的折边，制备搅拌机构包括门架、升降台、制备搅拌电机、搅拌桨、密封盖和两个升降驱动装置B，门且密封盖上设置有若干个用于不同药剂投料的投料口，升降台设置在门架的横梁底部中心，且制备搅拌电机设置在升降台的台面下方，制备搅拌电机的输出轴穿过密封盖与搅拌桨连接，本发明专利技术设置的BOE蚀刻液制备装置能方便各个药剂进行快速投料搅拌，且方便对制备桶进行搬运下料，相较于现有中的制备设备，效率大大提高，且提高了工作效率。且提高了工作效率。且提高了工作效率。
【技术实现步骤摘要】
一种半导体用BOE蚀刻液制备装置及其制备方法
[0001]本专利技术涉及BOE蚀刻液生产
，尤其涉及一种半导体用BOE蚀刻液制备装置及其制备方法。
技术介绍
[0002]随着世界半导体行业制造行业向中国大陆的逐步转移，国内对缓冲氧化蚀刻剂的需求量逐年增长。缓冲氧化蚀刻剂主要用于微电子行业，可作为清洗剂、蚀刻剂，在半导体工业中常用于蚀刻无光刻胶护罩的氧化层。其主要成分为氢氟酸和氟化铵的酸性氟化铵蚀刻液，又称为BOE蚀刻液。蚀刻剂的表面张力是影响蚀刻速率和蚀刻质量的关键因素之一。
[0003]在BOE蚀刻液生产过程中需要将各种类型的药剂进行搅拌制备，再投入下一工序进行生产，现有技术中的BOE蚀刻液制备设备无法快速的对制备搅拌好的物料进行下料，且在制备过程会也无法快速的制备桶进行清洗，降低了工作效率，浪费了操作人员的工作时间。
技术实现思路
[0004]专利技术目的：为了解决
技术介绍
中存在的不足，所以本专利技术公开了一种半导体用BOE蚀刻液制备装置及其制备方法。
[0005]技术方案：一种半导体用BOE蚀刻液制备装置,包括制备桶、用于放置制备桶的仿形座和制备搅拌机构，所述仿形座的内壁设置有与制备桶相适配的冷却水套，所述制备桶的顶部向外成型有用于搭接在仿形座上的折边，所述制备搅拌机构包括门架、升降台、制备搅拌电机、搅拌桨、密封盖和两个升降驱动装置B，所述门架的两个支脚设置在仿形座的两侧，两个升降驱动装置B分别设置在门架的横梁长度方向两侧，所述密封盖与两个升降驱动装置B连接，且所述密封盖上设置有若干个用于不同药剂投料的投料口，所述升降台设置在门架的横梁底部中心，且所述制备搅拌电机设置在升降台的台面下方，所述制备搅拌电机的输出轴穿过密封盖与搅拌桨连接。
[0006]进一步的是，所述折边的相对两侧上方设置有把手。
[0007]进一步的是，所述仿形座的相对两侧分别设置有用于方便冷却水套进水和出水的让位槽。
[0008]进一步的是，所述制备桶的内部成型有一圈搭接台阶，且所述搭接台阶上贴附有橡胶垫。
[0009]进一步的是，所述升降驱动装置A为驱动液压缸，两个升降驱动装置B均为电动推杆。
[0010]进一步的是，所述密封盖的中心设置有用于制备搅拌电机输出轴穿过的让位槽。
[0011]进一步的是，所述升降台包括伺服电缸和载台本体，伺服电缸设置在门架的横梁底部中心，所述载台本体与伺服电缸连接。
[0012]一种半导体用BOE蚀刻液制备方法，具体包括以下步骤，
[0013]第一步，通过密封盖上的若干个投料口分别向制备罐内注入49wt
[0014]％电子级氢氟酸(HF)，浓度为30wt％电子级氨水和超纯水依次加入到制备桶中，于室温下搅拌反应6
‑
12小时，得到氢氟酸(HF)和氟化铵(NH4F)的制备物(a)，所述制备物(a)中氢氟酸(HF)浓度为0.5
‑
30wt％，氟化铵(NH4F)浓度为1
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40wt％；
[0015]步骤二，待步骤一中所得制备物(a)通过向冷却水套内注入冷却水后冷却至室温，再通过密封盖的若干个投料口向制备桶内加入添加剂和烷基硫酸铵盐阴离子表面活性剂，所述的添加剂为脂肪族有机酸(C2
‑
C12)、脂肪族有机碱(C2
‑
C12)、脂肪族有机醇(C2
‑
C12)中的一种或其组合物，得到制备物(b)；
[0016]第三步，将步骤二所得制备物(b)于室温下搅拌制备6
‑
18小时，制备均匀后得到通明的BOE蚀刻液。
[0017]本专利技术实现以下有益效果：
[0018]本专利技术设置的BOE蚀刻液制备装置能方便各个药剂进行快速投料搅拌，且方便对制备桶进行拆卸清洗，而且根据制备需要设置冷却水套对制备中的制备物进行自动冷却，相较于现有中的制备设备，效率大大提高，且提高了工作效率。
附图说明
[0019]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并于说明书一起用于解释本公开的原理。
[0020]图1为本专利技术公开的整体结构示意图；
[0021]图2为本专利技术公开的制备桶俯视结构示意图。
具体实施方式
[0022]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0023]实施例
[0024]参考图1
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2，一种半导体用BOE蚀刻液制备装置,包括制备桶10、用于放置制备桶的仿形座20和制备搅拌机构40，仿形座的内壁设置有与制备桶相适配的冷却水套30，制备桶的顶部向外成型有用于搭接在仿形座上的折边11，制备搅拌机构包括门架42、升降台41、制备搅拌电机44、搅拌桨46、密封盖45和两个升降驱动装置B43，门架的两个支脚设置在仿形座的两侧，两个升降驱动装置B分别设置在门架的横梁长度方向两侧，密封盖与两个升降驱动装置B连接，且密封盖上设置有若干个用于不同药剂投料的投料口452，升降台设置在门架的横梁底部中心，且制备搅拌电机设置在升降台的台面下方，制备搅拌电机的输出轴穿过密封盖与搅拌桨连接。
[0025]在其中一个实施例中，折边的相对两侧上方设置有把手12，在操作人员对混合桶进行搬运时可抓住这两个把手。
[0026]在其中一个实施例中，仿形座的相对两侧分别设置有用于方便冷却水套进水和出水的让位槽21，以方便操作人员通过注水设备向冷却水套内进行注水或者排水。
[0027]在其中一个实施例中，制备桶的内部成型有一圈搭接台阶13，且搭接台阶上贴附有橡胶垫50，这样能保证密封盖对进行有效密封，从而避免在混合搅拌机构对混合桶内的
物料进行搅拌时有物料溅出的情况发生。
[0028]作为本专利技术优选的是，升降驱动装置A为驱动液压缸，两个升降驱动装置B均为电动推杆。
[0029]在其中一个实施例中，密封盖的中心设置有用于制备搅拌电机输出轴穿过的让位槽451，此处要说明的是，该让位槽的大小要保证输出轴进行升降以及转动。
[0030]在其中一个实施例中，升降台包括伺服电缸411和载台本体412，伺服电缸设置在门架的横梁底部中心，载台本体与伺服电缸连接，
[0031]在具体使用时，操作人员先将制备桶搬运至仿形座上，在制备桶放置结束后，两个升降驱动装置B将驱动密封盖下降以对制备桶进行密封，密封好后，操作人员通过密封盖上的若干个投料口分别向制备罐内注入相应的试剂，在制备时，操作升降台将带动制备搅拌电机下降直至搅拌桨到达搅拌桶内时，制备搅拌电机开始驱动搅拌桨转动对制备桶内的药剂进行制备搅拌，在制备过程中冷却水套实时注入对制备桶内的物料进行冷却降温，且在对制备桶内的物料制备搅拌结束后，升降台将带动制备搅拌电机升起，两个升降驱动装置B将密封盖升起，且由操作人员将制备桶进行搬运下料。
[0032]本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体用BOE蚀刻液制备装置,其特征在于，包括制备桶、用于放置制备桶的仿形座和制备搅拌机构，所述仿形座的内壁设置有与制备桶相适配的冷却水套，所述制备桶的顶部向外成型有用于搭接在仿形座上的折边，所述制备搅拌机构包括门架、升降台、制备搅拌电机、搅拌桨、密封盖和两个升降驱动装置B，所述门架的两个支脚设置在仿形座的两侧，两个升降驱动装置B分别设置在门架的横梁长度方向两侧，所述密封盖与两个升降驱动装置B连接，且所述密封盖上设置有若干个用于不同药剂投料的投料口，所述升降台设置在门架的横梁底部中心，且所述制备搅拌电机设置在升降台的台面下方，所述制备搅拌电机的输出轴穿过密封盖与搅拌桨连接。2.根据权利要求1所述的一种半导体用BOE蚀刻液制备装置，其特征在于，所述折边的相对两侧上方设置有把手。3.根据权利要求1所述的一种半导体用BOE蚀刻液制备装置，其特征在于，所述仿形座的相对两侧分别设置有用于方便冷却水套进水和出水的让位槽。4.根据权利要求1所述的一种半导体用BOE蚀刻液制备装置，其特征在于，所述制备桶的内部成型有一圈搭接台阶，且所述搭接台阶上贴附有橡胶垫。5.根据权利要求1所述的一种半导体用BOE蚀刻液制备装置，其特征在于，所述升降驱动装置A为驱动液压缸，两个升降驱动装置B均为电动推杆。6.根据权利要求1所述的一种半导体用BOE蚀刻液制备装置，其特征在于，所述密封盖的中心设置...
【专利技术属性】
技术研发人员：童晨，吴海燕，韩成强，孙元，陈桂红，
申请(专利权)人：昆山晶科微电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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