【技术实现步骤摘要】
数字驱动器、用于模数转换器的反馈电路、数模转换器
[0001]本申请涉及电子
,尤其涉及一种数字驱动器、用于模数转换器的反馈电路、数模转换器。
技术介绍
[0002]现有传统的逐次逼近模数转换器(Successive Approximation Register Analog
‑
to
‑
Digital Converter,SAR ADC)包含一个跟踪采样保持电路(T/H)、一个比较器、SAR逻辑电路和一个电容式数模转换器(Digital
‑
to
‑
Analog Converter,DAC),这种传统结构具有低复杂性、低功耗和工艺技术缩小的高能效拓扑等优点,使得传统结构在高速应用具有广泛用途,例如该传统结构可以用于时间交错型的逐次逼近模数转换器(TI
‑
SAR ADC)中。现有一些方案通过改进每周期一位的拓扑以加速SAR ADC的转换,如采用每周期多位的SAR和N位N个比较器的SAR的结构。然而,传统结构的每周期一位的拓扑在低复杂度 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种数字驱动器,其特征在于,包括:输入端子、输出端子、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管;所述输入端子与所述第一PMOS晶体管的栅极和所述第一NMOS晶体管的栅极连接;所述第一PMOS晶体管的漏极、所述第一NMOS晶体管的漏极、第二PMOS晶体管的栅极和第二NMOS晶体管的栅极连接于第一节点;所述第二PMOS晶体管的漏极、所述第二NMOS晶体管的漏极、第三PMOS晶体管的栅极和第三NMOS晶体管的栅极连接于第二节点;所述第三PMOS晶体管的漏极、所述第三NMOS晶体管的漏极、第四PMOS晶体管的栅极和第四NMOS晶体管的栅极连接于第三节点;所述第四PMOS晶体管的漏极、所述第四NMOS晶体管的漏极和所述输出端子连接;其中,所述第一PMOS晶体管、所述第二PMOS晶体管、所述第三PMOS晶体管、所述第四PMOS晶体管、所述第一NMOS晶体管、所述第二NMOS晶体管、所述第三NMOS晶体管、所述第四NMOS晶体管的宽度根据PMOS晶体管迁移率、NMOS晶体管迁移率和预设缩小系数确定,所述预设缩小系数的取值范围为(0,1)。2.根据权利要求1所述的数字驱动器,其特征在于,所述数字驱动器的延迟时间与所述预设缩小系数成正相关关系。3.一种用于模数转换器的反馈电路,其特征在于,包括:电容型DAC、比较电路、异步逻辑控制电路和DAC开关控制电路;所述电容型DAC包括多个电容器和多个数字驱动器,各所述数字驱动器为权利要求1或2所述的数字驱动器;所述异步逻辑控制电路和所述DAC开关控制电路分别包括多个触发器;各电容器与对应数字驱动器的输入端子连接,所述电容型DA...
【专利技术属性】
技术研发人员:郭铭强,冼世荣,肖刚军,赵伟兵,许登科,马许愿,
申请(专利权)人:珠海一微半导体股份有限公司珠海澳大科技研究院,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。