一种反应腔内表面保护装置、外延反应监控装置及方法制造方法及图纸

本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种反应腔内表面保护装置、外延反应监控装置及方法，用于保护外延设备的反应腔的内表面，所述反应腔内表面保护装置包括：石墨纸、第一转轴和第二转轴，所述第一转轴和所述第二转轴分别安装在所述反应腔的进气端和出气端，所述石墨纸两端分别套接在所述第一转轴与所述第二转轴上，所述石墨纸在所述反应腔的内顶部具有水平段，且能在所述第一转轴以及所述第二转轴的转动作用下在所述反应腔的内顶部沿单一方向水平输送，通过在反应腔内表面设置保护装置，石墨纸持续工作带走石墨纸上的结晶，防止结晶掉落在衬底上，且无需对反应腔内表面频繁清洗。繁清洗。繁清洗。

【技术实现步骤摘要】
一种反应腔内表面保护装置、外延反应监控装置及方法


[0001]本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种反应腔内表面保护装置、外延反应监控装置及方法。

技术介绍

[0002]在外延工艺中，由于SiC的生长方式为连续多片式，在外延反应过程中，外延设备的反应腔持续通入反应气体，在1700℃的反应条件下的反应过程中由于反应气体可能在反应腔内的内表面形成Si滴或在表面形成SiC颗粒，结晶掉落在衬底上，在衬底表面产生缺陷，对衬底良率有很大影响，因此需要在对反应腔内表面进行保护处理，防止结晶掉在衬底上。
[0003]现有的反应腔内表面保护方法主要为通过在反应腔内表面镀TaC保护层，从而防止反应气体在反应腔内表面结晶并掉在衬底上，而在长时间的反应过程中，反应腔内表面仍会反应生成结晶并掉落在衬底上，且需要频繁对反应腔内表面进行清洗。
[0004]针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。

技术实现思路

[0005]本申请的目的在于提供一种反应腔内表面保护装置、外延反应监控装置及方法，旨在解决在外延工艺中，向反应腔内通入的反应本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种反应腔内表面保护装置，用于保护外延设备的反应腔（1）的内表面，其特征在于，所述反应腔内表面保护装置包括：石墨纸（3）、第一转轴（41）和第二转轴（42），所述第一转轴（41）和所述第二转轴（42）分别安装在所述反应腔（1）的进气端和出气端，所述石墨纸（3）两端分别套接在所述第一转轴（41）与所述第二转轴（42）上，所述石墨纸（3）在所述反应腔（1）的内顶部具有水平段，且能在所述第一转轴（41）以及所述第二转轴（42）的转动作用下在所述反应腔（1）的内顶部沿单一方向水平输送。2.根据权利要求1所述的反应腔内表面保护装置，其特征在于，所述石墨纸（3）上镀有TaC镀层。3.根据权利要求1所述的反应腔内表面保护装置，其特征在于，所述石墨纸（3）进入所述反应腔（1）的一端上设置有加热装置（411），用于加热所述石墨纸（3）。4.根据权利要求1所述的反应腔内表面保护装置，其特征在于，所述反应腔（1）进气端设置有第一密封腔（51），所述第一转轴（41）设置在所述第一密封腔（51）内，所述反应腔（1）出气端设置有第二密封腔（52），所述第二转轴（42）设置在所述第二密封腔（52）内。5.根据权利要求1所述的反应腔内表面保护装置，其特征在于，所述石墨纸（3）的宽度大于等于所述反应腔（1）中用于承托衬底（2）的衬底托盘的直径。6.根据权利要求1所述的反应腔内表面保护装置，其特征在于，所述石墨纸（3）的所述水平段与所述反应腔（1）的内表面之间的距离为2
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5mm。7.根据权利要求1所述的反应腔内表面保护装置，其特征在于，所述石墨纸（3）的输送方向为从所述反应腔（1）的进气端朝所述反应腔（1）的出气端输送。8.一种外延反应监控装置，其特征在于，用于监控外延反应中反应腔（1）的内表面结晶情况，所述外延反应监控装置应用于具有反应腔内表面保护装置的外延设备中，所述反应腔内表面保护装置包括：石墨纸（3）、第一转轴（41）和第二转轴（42），所述第一转轴（41）和所述第二转轴（42）分别安装在所述反应腔（1）的进气端和出气端，所述石墨纸（3）套接在所述第一转轴（41）与所述第二转轴（42）上，所述石墨纸（3）在所述反应腔（1）的内顶部具有水平段，且能在所述第一转轴（41）以及所述第二转轴（...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘欣然，黄吉裕，王慧勇，刘自然，王鑫，徐俊，
申请(专利权)人：季华实验室，
类型：发明
国别省市：