micro-LED生长的反应腔结构、系统及方法技术方案

本发明专利技术公开了一种micro

【技术实现步骤摘要】
micro-LED生长的反应腔结构、系统及方法


[0001]本专利技术特别涉及一种micro-LED生长的反应腔结构、系统及方法，属于半导体


技术介绍

[0002]现有的金属有机物化学气相沉积(MOCVD)反应腔的结构都是围绕圆形的石墨托盘而设计的，石墨托盘中的凹槽也是圆形，放置的是圆形的外延片。然而，随着micro-LED技术的兴起，要求对整片外延片进行芯片制作和整体转移，应用是以拼接的形式直接作为发光源，所以此时圆形的外延片需要被加工成最大尺寸的正方形(其内接正方形)。在现有产业上，直径100mm的4英寸外延片的micro-LED芯片区域为68x68mm，有效利用率为59％；为获得更大的micro-LED有效芯片区域，需要开发更大尺寸的外延片工艺，比如直径150mm的6英寸的芯片区域可扩大至98x98mm，但有效利用率却降为54％。所以，当前圆形外延片及其托盘和反应腔设计，导致了micro-LED外延工艺后的圆形外延片利用率低，边缘浪费严重等问题，并且生长micro-LED还需要高度的均匀性，所以提供了一种更合理的反应腔结构仍是业本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适合micro-LED生长的MOCVD反应腔结构，其特征在于包括具有多边形径向截面的反应腔体和设置于所述反应腔体内的多边形中心棱柱，所述反应腔体的内壁与多边形中心棱柱的外壁之间形成有可供反应流体通过的多边环形流道，所述反应腔体的每一侧内壁上均分布有至少一个正方形槽，所述正方形槽用于容置生长micro-LED所需的衬底。2.根据权利要求1所述的MOCVD反应腔结构，其特征在于：至少所述反应腔体的内壁和所述多边形中心棱柱的外壁是石墨材质的。3.根据权利要求2所述的MOCVD反应腔结构，其特征在于：所述反应腔体及多边形中心棱柱均由石墨组成。4.根据权利要求1所述的MOCVD反应腔结构，其特征在于：所述反应腔体的每一侧内壁上均间隔分布有多个正方形槽。5.根据权利要求1所述的MOCVD反应腔结构，其特征在于：所述多边形中心棱柱的每一侧外壁与相应的反应腔体一侧内壁对应设置。6.根据权利要求1所述的MOCVD反应腔结构，其特征在于：所述正方形槽内还设置有至少一个通孔，所述通孔与负压发生设备连通，用于通过负压作用吸附固定所述衬底。7.一种用于生长micro-LED的系统，其特征在于包括：MOCVD设备，具有权利要求1-6中任一项所述的适合micro-LED生长的MOCVD反...

【专利技术属性】
技术研发人员：王国斌，王建峰，徐科，
申请(专利权)人：江苏第三代半导体研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：