存储器的检测方法、检测系统、可读介质及电子设备技术方案

本公开提供了一种存储器的检测方法、检测系统、计算机可读介质及电子设备，该检测方法包括：向多条所述第一位线连接的存储单元写入第一电压，向多条第二位线连接的存储单元写入第二电压，所述第一位线与所述第二位线交替设置，第一电压大于第二电压；第二电压为零电压或负电压；经过加长的预设暂停时间使所述存储单元进行漏电后，读取所述第一位线或所述第二位线的连接所述存储单元，并判断各所述存储单元的读取结果是否等于其写入的所述第一电压或所述第二电压；若所述存储单元的读取结果不等于其写入的所述第一电压或所述第二电压，则判断所述存储器存在同轴字线双位元电容漏电。能够提前判断出存储器是否存在同轴字线双位元电容漏电。元电容漏电。元电容漏电。

【技术实现步骤摘要】
存储器的检测方法、检测系统、可读介质及电子设备


[0001]本公开涉及存储器
，具体而言，涉及一种存储器的检测方法、存储器的检测系统、计算机可读介质及电子设备。

技术介绍

[0002]动态随机存取存储器(DRAM，Dynamic Random Access Memory)包括用于存储数据的多个存储单元，每个存储单元可以包括晶体管和电容器，晶体管用作数据向存储单元的流动以及数据从存储单元的流动的门控，电容器用于以电荷的形式来存储数据。
[0003]由于DRAM的结构过于精细，量产工艺复杂繁琐，在DRAM的电容工艺制程中，形成电容器的电容柱体之间容易相互倾斜，导致临近的电容单元容易产生故障。
[0004]需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本专利技术的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0005]本公开实施例的目的在于提供一种存储器的检测方法、存储器的检测系统、计算机可读介质及电子设备，能够提前判断出存储器是否存在同轴字线双位元电容漏电。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器的检测方法，用于测试待测存储器，其特征在于，所述检测方法包括：向多条第一位线连接的存储单元写入第一电压，向多条第二位线连接的存储单元写入第二电压，所述第一位线与所述第二位线交替设置，所述第一电压大于所述第二电压；所述第二电压为零电压或负电压；经过加长的预设暂停时间使所述存储单元进行漏电后，读取所述第一位线或所述第二位线连接的所述存储单元，并判断各所述存储单元的读取结果是否等于其写入的所述第一电压或所述第二电压；若所述存储单元的读取结果不等于其写入的所述第一电压或所述第二电压，则判断所述存储器存在同轴字线双位元电容漏电。2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，向多条所述第一位线连接的存储单元写入第一电压，包括：控制连接感应放大器的目标电荷泵开启以生成第一电压，控制连接所述第一电压和所述感应放大器的目标开关元件开启，以对所述感应放大器输入所述第一电压；通过所述感应放大器向多条所述第一位线连接的所述存储单元中写入所述第一电压。3.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述第一电压高于待检测存储器的电源电压。4.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，向多条所述第一位线连接的存储单元写入第二电压，包括：控制连接感应放大器的目标电荷泵开启以生成第二电压，控制连接所述第二电压和所述感应放大器的目标开关元件开启，以对所述感应放大器输入所述第二电压；通过所述感应放大器向多条所述第二位线连接的所述存储单元中写入所述第二电压。5.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，读取所述第一位线或所述第二位线连接的所述存储单元，并判断各所述存储单元的读取结果是否等于其写入的所述第一电压或所述第二电压，包括：读取所述第二位线连接的所述存储单元，并判断各所述存储单元的读取结果是否等于其写入的所述第二电压。6.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述预设暂停时间为100ms
‑
500ms。7.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，向多条所述第一位线连接的存储单元写入第一电压，向多条所述第二位线连接的存储单元写入第二电压，包括：开启目标字线，对所述目标字线连接的连续预设数量个存储单元交替写入所述第一电压和所述第二电压，关闭所述目标字线。8.如权利要求7所述的检测方法，其特征在于，所述预设数量等于所述待测存储阵列的突发长度；向多条所述第一位线连接的存储单元写入第一电压，向多条所述第二位线连接的所述存储单元写入第二电压，包括：在关闭所述目标字线之后，开启所述目标字线，以对所述目标字线连接的未进行写入操作的连续所述预设数量个存储单元交替写入所述第一电压...

【专利技术属性】
技术研发人员：楚西坤，刘东，第五天昊，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：