一种砷化镓晶片加工用抛光液及其制备方法技术

本申请涉及半导体领域，具体公开了一种砷化镓晶片加工用抛光液及其制备方法，该抛光液由包括以下重量份的原料制得：20

【技术实现步骤摘要】
一种砷化镓晶片加工用抛光液及其制备方法


[0001]本申请涉及半导体
，更具体地说，它涉及一种砷化镓晶片加工用抛光液及其制备方法。

技术介绍

[0002]砷化镓晶片是由纯砷和镓合成得到的砷化镓单晶材料经过切、磨、抛光和清洗等工序后制成。砷化镓是继单晶硅之后发展起来的第二代半导体材料，具有优异的物理化学特性，是国防军工、航空航天、节能环保等领域不可或缺的微电子和光电子基础材料，无论是用于制作集成电路还是功能器件，都要求砷化镓衬底具有极佳的平整度和超光滑表面，否则将直接降低产品性能。
[0003]而抛光工序是实现砷化镓晶片最终达到超高精度的表面要求的关键工序。目前，国内外普遍采用的砷化镓晶片的抛光工艺是化学机械抛光（CMP）工艺，CMP工艺是化学腐蚀作用和机械磨削作用协同效应的组合工艺，借助于机械磨削作用以及抛光液的化学腐蚀作用，在被抛光的介质表面上形成光洁平坦表面。
[0004]但是目前普遍使用的抛光液还有很多亟待解决的问题，其中一个是现有的抛光液大多都是现配现用，最多保质期也仅能达到24h，亟需提供一种具有较好稳定性、保质本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种砷化镓晶片加工用抛光液，其特征在于，由包括以下重量份的原料制得：20
‑
40份硅溶胶、25
‑
40份二氯代异氰尿酸盐、15
‑
25份聚乙烯亚胺、10
‑
25份纳米二氧化铈和8
‑
18份气相二氧化硅。2.根据权利要求1所述的一种砷化镓晶片加工用抛光液，其特征在于：该抛光液还包括15
‑
25重量份石墨烯
‑
氧化石墨烯混合物，所述石墨烯与氧化石墨烯的质量比为1：（3
‑
5）。3.根据权利要求1所述的一种砷化镓晶片加工用抛光液，其特征在于：所述抛光液还包括0.5
‑
2.5重量份羟乙基纤维素。4.根据权利要求1所述的一种砷化镓晶片加工用抛光液，其特征在于：该抛光液还包括5
‑
15重量份三聚磷酸盐或磺酸盐。5.根据权利要求1所述的一种砷化镓晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵波，古新远，
申请(专利权)人：北京通美晶体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：