半导体装置及其形成方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种半导体装置及其形成方法，包括一基底，多个第一图案与多个第二图案设置在该基底上，各该第一图案包含有一第一主体部分以及一第一延伸部分相互连接，各该第二图案包含有一第二主体部分以及一第二延伸部分相互连接，其中，该第一主体部分与该第二主体部分均包含有至少一弧状图案，以及至少一接触结构，与该第一图案或与该第二图案重叠。藉此，本发明专利技术即可利用自对准双重图案化制作工艺配合图案化掩膜层来形成布局相对密集且尺寸相对微小的特定图案，以利于后续组件制作工艺的进行。的进行。的进行。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其形成方法


[0001]本专利技术涉及一种半导体装置及其形成方法，尤其是涉及一种半导体存储装置及其形成方法。

技术介绍

[0002]在半导体制作工艺中，一些微结构的制造，需要在半导体基材/膜层、介电材料层或金属材料层等适当的基材或材料层中，利用光刻及蚀刻等制作工艺，形成具有精确尺寸的微小图案。为达到此目的，在传统的半导体技术中，在目标材料层之上形成掩模层(mask layer)，以便先在该掩模层中形成/定义这些微小图案，随后将该等图案转移至目标膜层。一般而言，掩模层例如是通过光刻制作工艺形成的图案化光致抗蚀剂层，和/或利用该图案化光致抗蚀剂层形成的图案化掩模层。
[0003]随着集成电路的复杂化，这些微小图案的尺寸不断地减小，结构亦不断地变化，所以用来产生特征图案的设备就必须满足制作工艺分辨率及叠对准确度(overlay accuracy)的严格要求，单一图案化(single patterning)方法已无法满足制造微小线宽图案的分辨率需求或制作工艺需求。是以，如何改良该些微结构的现有制作工艺即为本领域现今的重要课题之一。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：一基底；多个第一图案与多个第二图案设置在该基底上，各该第一图案包含有一第一主体部分以及一第一延伸部分相互连接，各该第二图案包含有一第二主体部分以及一第二延伸部分相互连接，其中，该第一主体部分与该第二主体部分均包含有至少一弧状图案；以及至少一接触结构，与该第一图案或与该第二图案重叠。2.依据权利要求第1项所述之半导体装置，其特征在于，该第一延伸部分与该第二延伸部分包含有一横线图案。3.依据权利要求第2项所述之半导体装置，其特征在于，该第一延伸部分与该第二延伸部分均朝向一X方向排列。4.依据权利要求第1项所述之半导体装置，其特征在于，该第一图案与该第二图案沿着一X方向交互排列。5.依据权利要求第1项所述之半导体装置，其特征在于，各该第一主体部分朝向一正X方向外凸，其中各该第二主体部分朝向一负X方向外凸，其中该正X方向与该负X方向相反。6.依据权利要求第1项所述之半导体装置，其特征在于，该第一延伸部分连接该第一主体部分的一顶端，其中该第二延伸部分连接该第二主体部分的一底端。7.依据权利要求第1项所述之半导体装置，其特征在于，该第一延伸部分连接该第一主体部分的一侧边，其中该第二延伸部分连接该第二主体部分的一侧边。8.依据权利要求第7项所述之半导体装置，其特征在于，该第一主体部分的一末端包含有一钩状部分，且该钩状部分的一宽度大于该第一延伸部分的一宽度。9.依据权利要求第1项所述之半导体装置，其特征在于，沿着一X方向，各该第一图案的该第一延伸部分彼此相互对齐，而各该第一图案的各该第一主体部分不相互对齐。10.一种半导体装置的形成方法，其特征在于，包含：提供一基底；于该基底上形成一材料层；以及图案化该材料层，形成多个第一图案与多个第二图案在该基底上，各该第一图案包含有一第一主体部分以及一第一延伸部分相互连接，各...

【专利技术属性】
技术研发人员：张钦福，冯立伟，童宇诚，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：