一种膜层生长设备及膜层生长方法技术

本申请提供一种膜层生长设备及膜层生长方法，包括旋转基盘，旋转基盘上放置待处理衬底，待处理衬底在旋转基盘上的放置位置与旋转基盘的旋转中心之间的距离为目标距离，目标距离与待处理衬底的尺寸的比值大于或等于第一阈值，第一阈值根据待处理衬底受到的离心力确定。也就是说，当目标距离与待处理衬底的尺寸的比值大于或等于第一阈值时，旋转基盘带动待处理衬底进行旋转，待处理衬底的不同区域受到的离心力接近，由于待处理衬底的不同区域受到的离心力接近，在待处理衬底不同区域形成的膜层厚度较为均匀，能够提升旋涂法制造形成膜层的性能，进而提高半导体器件的性能。进而提高半导体器件的性能。进而提高半导体器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种膜层生长设备及膜层生长方法


[0001]本专利技术涉及半导体领域，特别涉及一种膜层生长设备及膜层生长方法。

技术介绍

[0002]随着技术的发展，当前的半导体器件通常为层叠结构，例如自发光显示器、顶部入射的光电探测器、图像传感器和太阳能电池都是层叠结构。在制造层叠结构的半导体器件时，通常会采用旋涂法制造。
[0003]但是旋涂法制造形成的半导体器件中的同一膜层存在厚度不均匀的问题，进而导致该膜层的不同区域性能差异较大，最终影响半导体器件的应用。
[0004]因此，现有的旋涂法制造半导体器件时存在形成的膜层厚度不均的问题。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本申请的目的在于提供一种膜层生长设备及膜层生长方法，能够解决旋涂法制造半导体器件时存在形成的膜层厚度不均的问题，提高半导体器件的性能。
[0006]本申请实施例提供了一种膜层生长设备，包括：旋转基盘；
[0007]所述旋转基盘用于放置待处理衬底以及带动所述待处理衬底旋转，以便在所述待处理衬底上形成厚度均匀的薄膜；
>[0008]所述目本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种膜层生长设备，其特征在于，包括：旋转基盘；所述旋转基盘用于放置待处理衬底以及带动所述待处理衬底旋转，以便在所述待处理衬底上形成厚度均匀的薄膜；所述目标距离与所述待处理衬底的尺寸的比值大于或等于第一阈值，所述第一阈值根据所述待处理衬底受到的离心力确定，其中，所述目标距离为所述待处理衬底在所述旋转基盘上的放置位置与所述旋转基盘的旋转中心之间的距离。2.根据权利要求1所述的膜层生长设备，其特征在于，所述旋转基盘为圆环结构。3.根据权利要求2所述的膜层生长设备，其特征在于，所述待处理衬底的中心点与所述圆环结构的中心点重合，所述目标距离为所述圆环结构的中心点与所述圆环结构的旋转中心之间的距离。4.根据权利要求1所述的膜层生长设备，其特征在于，所述旋转基盘为圆盘结构。5.根据权利要求4所述的膜层生长设备，其特征在于，所述待处理衬底位于所述圆盘结构的旋转基盘的边缘区域。6.根据权利要求1
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5任意一项所述的膜层生长设备，其特征在于，所述待处理衬底具有相对的第一端和第二端，所述第一端和所述旋转基盘的旋转中心之间...

【专利技术属性】
技术研发人员：李卫东，肖平，李新连，王力军，赵志国，张赟，夏渊，秦校军，刘入维，申建汛，梁思超，王森，
申请(专利权)人：中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：