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本申请提供一种膜层生长设备及膜层生长方法，包括旋转基盘，旋转基盘上放置待处理衬底，待处理衬底在旋转基盘上的放置位置与旋转基盘的旋转中心之间的距离为目标距离，目标距离与待处理衬底的尺寸的比值大于或等于第一阈值，第一阈值根据待处理衬底受到的离心...
该专利属于中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司授权不得商用。

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