一种提高器件电子迁移率的结构制造技术

本实用新型专利技术涉及器件技术领域，且公开了一种提高器件电子迁移率的结构，包括器件本体和矩形支撑框，所述器件本体的底部固定连接有散热硅胶垫，所述矩形支撑框的内侧壁固定连接散热铝板。该提高器件电子迁移率的结构，通过矩形支撑框、散热硅胶垫、散热铝板、散热翅片、散热铜板和散热孔之间的相互配合，从而可以通过散热硅胶垫将器件本体内部的温度热量进行吸收，并将热量传递给散热铝板，且通过散热翅片将热量传递给散热铜板，进而实现散热效果，同时热量在散热翅片上时，可以通过散热口来对将矩形支撑框内部的热量进行散发，进而可以有效的降低器件本体内部的温度，从而可以提高器件的电子迁移率。的电子迁移率。的电子迁移率。

【技术实现步骤摘要】
一种提高器件电子迁移率的结构


[0001]本技术涉及器件
，具体为一种提高器件电子迁移率的结构。

技术介绍

[0002]迁移率主要受材料内部的散射因素影响，其中包括声子散射、杂质散射、缺陷散射等，其中声子散射在高温时影响比较大，杂质散射随掺杂浓度增加而增加，迁移率和载流子浓度的乘积决定了半导体的导电特性，参杂增加载流子浓度增加，电导率增加，但是当参杂过多时将使迁移率减小，从而使电导率减小，因此需要提出一种提高器件电子迁移率的结构来提高器件的电子迁移率。

技术实现思路

[0003](一)解决的技术问题
[0004]针对现有技术的不足，本技术提供了一种提高器件电子迁移率的结构，具备降低器件内部温度，提高器件的散热效果，提高器件电子迁移率等优点，解决了迁移率主要受材料内部的声子散射等因素影响，其中声子散射在高温时影响比较大的问题。
[0005](二)技术方案
[0006]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种提高器件电子迁移率的结构，包括器件本体和矩形支撑框，所述器件本体的底部固定连接有散热硅胶垫，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高器件电子迁移率的结构，包括器件本体(1)和矩形支撑框(2)，其特征在于：所述器件本体(1)的底部固定连接有散热硅胶垫(3)，所述矩形支撑框(2)的内侧壁固定连接散热铝板(4)，所述散热铝板(4)的底部固定连接有散热翅片(5)，所述矩形支撑框(2)的底部固定连接有散热铜板(6)，所述矩形支撑框(2)的侧表面设置防护格栅网板(7)，所述矩形支撑框(2)的侧表面开设有散热孔(8)。2.根据权利要求1所述的一种提高器件电子迁移率的结构，其特征在于：所述防护格栅网板(7)靠近矩形支撑框(2)的一侧固定连接定位圆套(9)，所定位圆套(9)的远离矩形支撑框(2)的一侧设置为斜面。3.根据权利要求1所述的一种提高器件电子迁移率的结构，其特征在于：所述防护格栅网板...

【专利技术属性】
技术研发人员：许舜渊，
申请(专利权)人：深圳市摩得半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：