键合衬底及键合方法技术

本发明专利技术提供一种键合衬底及键合方法。一种键合衬底，由一第一衬底和一第二衬底键合形成，包括：内部散热结构，所述内部散热结构为环绕金属柱设置的金属层，埋设在第一衬底和第二衬底的至少一个内；导热结构，所述导热结构连接所述内部散热结构，并暴露于键合后衬底的表面。本发明专利技术可以在不改变现有芯片堆叠工艺的情况下，通过增加内部散热结构、外部散热结构、及导热结构，使得三维堆叠芯片的散热效率大幅提升，解决芯片工作温度升高、导线电阻加大导致的芯片耗电量加大和工作速度降低的问题，延长芯片使用寿命。芯片使用寿命。芯片使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
键合衬底及键合方法


[0001]本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种键合衬底及键合方法。

技术介绍

[0002]三维堆叠芯片是近几年芯片制备技术发展的方向，它具有大带宽高算力的优势，正是这样在两颗堆叠芯片间的高速运算，使得三维堆叠芯片的发热量比正常芯片高多倍。目前现有的三维堆叠芯片依靠依靠介电质缓慢散热，没有专用的散热结构。在三维堆叠芯片工作时，电流通过铜柱产生的热量难以散出，导致芯片温度升高，导线电阻加大，进而导致芯片耗电量加大和工作速度降低，影响芯片的性能。
[0003]因此，如何在满足芯片功能的情况下，提高芯片散热能力，从而降低三维堆叠芯片工作时温度，是当前亟待解决的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种键合衬底及键合方法，用于解决现有的三维堆叠芯片散热性能差的技术问题，以提高芯片性能。
[0005]为了解决上述问题，本专利技术提供了一种键合衬底，由一第一衬底和一第二衬底键合形成，包括：内部散热结构，所述内部散热结构为环绕金属柱设置的金属层，埋设在第一衬底和第二衬底的至少一个内；导热结构，所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种键合衬底，由一第一衬底和一第二衬底键合形成，其特征在于，包括：内部散热结构，所述内部散热结构为环绕金属柱设置的金属层，埋设在第一衬底和第二衬底的至少一个内；导热结构，所述导热结构连接所述内部散热结构，并暴露于键合后衬底的表面。2.根据权利要求1所述的键合衬底，其特征在于，还包括外部散热结构，所述外部散热结构为设置在所述键合衬底表面的金属层，连接所述导热结构。3.根据权利要求1所述的键合衬底，其特征在于，所述内部散热结构设置在第一衬底和/或第二衬底中。4.根据权利要求1所述的键合衬底，其特征在于，所述导热结构设置在第一衬底和/或第二衬底中。5.一种键合方法，将一第一衬底和一第二衬底键合，其特征在于，包括：在键合前，在所述第一衬底和第二衬底中的至少一个之中形成内部散热结构的步骤；以及在键合后，在所述第一衬底和第二衬底中的至少一个之中形成导热结构的步骤。6.根据权利要求5所述的键合方法，其特征在于，还包括：在所述键合衬底表面形成外部散热结构，所述外部散热结构通过所述导热结构与所述内部散热结构相连接。7.根据权利要求5所述的键合方法，其特征在于，所述在第一衬底和第二衬底中的至少一个之中形成内部散热结构的步骤，进一步是：提供第一和/或第二晶圆，所述第一和/或第二晶圆表面包括第一和/或第二种子层、以及第一和/或第二钝...

【专利技术属性】
技术研发人员：邢程，刘伟杰，
申请(专利权)人：芯盟科技有限公司，
类型：发明
国别省市：