一种新型氮化镓基发光二极管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种新型氮化镓基发光二极管，包括氮化镓基发光二极管本体，氮化镓基发光二极管本体的外壁固定连接有套环，套环的外壁对称开设有四个放置槽，四个放置槽内壁的背面均固定连接与限位盒，四个限位盒内部均活动设有膨胀气囊，本实用新型专利技术一种新型氮化镓基发光二极管，当氮化镓基发光二极管本体运行时产生一定的热量，热量通过套环传递至放置槽内部，当膨胀气囊接收到热量时自身受热发生膨胀后体积变大，从而带动挤压块发生位移，挤压块移动带动滑块与连接垫向外移动，相邻的两个连接垫都向外移动时，两个连接垫相互靠近与挤压，从而达到对氮化镓基发光二极管本体进行挤压与固定的效果。压与固定的效果。压与固定的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种新型氮化镓基发光二极管


[0001]本技术涉及一种发光二极管，特别涉及一种新型氮化镓基发光二极管。

技术介绍

[0002]发光二极管，简称为LED，是一种常用的发光器件，通过电子与空穴复合释放能量发光，它在照明领域应用广泛，发光二极管可高效地将电能转化为光能，在现代社会具有广泛的用途，如照明、平板显示、医疗器件等，发光二极管的核心部分是由P型半导体和N型半导体组成的晶片，在P型半导体和N型半导体之间有一个过渡层，称为PN结。在某些半导体材料的PN结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电能直接转换为光能，GAN是一种宽带隙化合物半导体材料，具有发射蓝光、高温、高频、高压、大功率和耐酸、耐碱、耐腐蚀等特点，是继锗、硅和砷化镓之后最主要的半导体材料之一，使得它在蓝光和紫外光电子学
占有重要地位，也是制作高温、大功率半导体器件的理想材料
[0003]但现有的一种新型氮化镓基发光二极管结构不太完善，还存在一定的缺陷：
[0004]现有的氮化镓基发光二极管在使用时需要配合多个进行安装使用，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型氮化镓基发光二极管，包括氮化镓基发光二极管本体(1)，其特征在于：所述氮化镓基发光二极管本体(1)的外壁固定连接有套环(2)，所述套环(2)的外壁对称开设有四个放置槽(3)，四个所述放置槽(3)内壁的背面均固定连接与限位盒(4)，四个所述限位盒(4)内部均活动设有膨胀气囊(5)，所述膨胀气囊(5)的一端固定连接有挤压块(6)，四个所述放置槽(3)的内壁均设有滑块(8)，四个所述滑块(8)的一端均固定连接有连接垫(9)。2.根据权利要求1所述的一种新型氮化镓基发光二极管，其特征在于：四个所述连接垫(9)的一端均固定连接有防滑垫，四个所述挤压块(6)的一端均与相邻滑块(8)的背面相挤压。3.根据权利要求1所述的一种新型氮化镓基发光二极管，其特征在于：四个所述放置槽(3)内壁的底端均开设有滑槽(7)，四个所述滑槽(7)的内壁均与相邻滑块(8...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈琨，沈承刚，沈振宇，
申请(专利权)人：江苏布里其曼科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：