一种高稳定自阻隔量子点光学膜及其制备方法和应用技术

本发明专利技术提供一种高稳定自阻隔量子点光学膜及其制备方法和应用，涉及量子点光学膜制备领域；其中，光学膜由两层PET基膜和夹设在两基膜间的量子点掺杂光学树脂层构成，量子点掺杂光学树脂层是由1wt％

【技术实现步骤摘要】
一种高稳定自阻隔量子点光学膜及其制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及量子点光学膜制备
，具体涉及一种高稳定自阻隔量子点光学膜及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]量子点在显示领域的应用成为业界关注的焦点，与OLED显示相比，量子点显示是基于独特的显示技术，打破了“色域与成本和亮度是矛盾”这一平衡。量子点显示技术的一大特色为高色域，其色域覆盖率达到110％NTSC；发光颜色纯，色彩纯净度远高于普通LED，精准呈现大自然的色彩；无机纳米材料量子点显示可以实现长久稳定显示，色彩持久稳定可达到60000小时，所以量子点显示有能力还原用户所能感知的所有颜色。
[0003]经过多年的研究发展，量子点显示的应用逐渐清晰，采用量子点膜技术的光致发光技术是目前量子点显示中成熟可靠的技术。传统LCD显示屏只要将背光中白色LCD光源更换为蓝色LED光源和添加上一层纳米量子点的薄膜就可以达到卓越的色彩表达能力。量子点材料由于其特殊的性能对水汽和氧气的敏感性，从而不得不采用高阻隔薄膜进行结构性封装。近年来，对于量子点光学膜的研究已经有不少专利报道，专利CN109135628A报道了一种用于制备量子点光学膜的量子点胶水组合物，通过无机片状材料的添加，使量子点免受水氧的侵蚀，制备的量子点光学膜稳定性较低；专利CN109762555A运用烯丙基苯并噁嗪有效提高体系的交联密度，大大提高量子点光学膜的稳定性和使用寿命，专利CN110591608A采用两亲性聚合物、固化延缓分子、多异氰酸酯化合物提高了量子点与胶水的相容性，进一步提高了量子点光学膜的胶粘强度。
[0004]但是，上述量子点胶水及量子点光学膜的合成专利中，都对量子点胶水进行的改进，不能从根本上解决由量子点材料制备的光学膜环境稳定性差的问题。鉴于以上情况，现有的量子点胶水和量子点光学膜无法满足光学膜领域的需求，研发高效、稳定的量子点胶水和量子点光学膜刻不容缓。

技术实现思路

[0005]本专利技术目的在于提供一种高稳定自阻隔量子点光学膜及其制备方法和应用，通过采用磷脂源合成疏水性聚合物包覆于量子点周围形成自带阻隔功能的量子点，实现了量子点的高分散性和量子点与胶水的高相容性，解决了量子点胶层存在的量子点分散性差，稳定性无法提高的难题。
[0006]为达成上述目的，本专利技术提出如下技术方案：一种高稳定自阻隔量子点光学膜，由上下两层PET基膜和夹设在两基膜间的量子点掺杂光学树脂层构成；所述量子点掺杂光学树脂层是由1wt％
‑
10wt％自阻隔量子点、60wt％
‑
80wt％丙烯酸类光学树脂、10wt％
‑
20wt％扩散粒子和1wt％
‑
10wt％光引发剂组成，其中，自阻隔量子点为疏水性磷脂聚合物包覆的CdSe/Ni@CdZnSeS/Co双金属掺杂量子点。
[0007]本专利技术另一技术方案在于公开上述高稳定自阻隔量子点光学膜的制备方法，该方
法包括：
[0008]制备自阻隔量子点，所述自阻隔量子点为疏水性磷脂聚合物包覆的CdSe/Ni@CdZnSeS/Co双金属掺杂量子点；其中，自阻隔量子点的制备包括：将5wt％
‑
10wt％的Ni源在150
‑
180℃条件下快速注入到含有10wt％
‑
20wt％的CdSe量子点、40wt％
‑
60wt％的十八烯和20wt％
‑
30wt％的配位溶剂的反应釜中制得CdSe/Ni量子点，通过一锅法将1wt％
‑
5wt％的Co源、30wt％
‑
50wt％的锌源、10wt％
‑
20wt％的镉源、25wt％
‑
35wt％的硒
‑
硫源在320
‑
340℃条件下依次快速注入到该反应釜中得到CdSe/Ni@CdZnSeS/Co双金属掺杂量子点，最终向该量子点溶液中注入10wt％
‑
30wt％的磷脂源反应获得自阻隔量子点；
[0009]制备量子点掺杂光学树脂，所述量子点掺杂光学树脂由1wt％
‑
10wt％自阻隔量子点、60wt％
‑
80wt％丙烯酸类光学树脂、10wt％
‑
20wt％扩散粒子和1wt％
‑
10wt％光引发剂在反应釜中均匀混合后升温至40
‑
60℃，反应20
‑
40分钟得到；
[0010]制备高稳定自阻隔量子点光学膜，所述高稳定自阻隔量子点光学膜为将量子点掺杂光学树脂涂覆在第一层PET膜的一侧面形成复合膜层，再将第二层PET膜贴合于复合膜层远离第一层PET膜的一侧面，依次经过真空蒸镀处理、UV光固化和熟化后获得。
[0011]进一步的，所述自阻隔量子点的具体制备过程为：
[0012]在N2氛围下，将10
‑
20质量份数CdSe量子点、40
‑
60质量份数十八烯和20
‑
30质量份数配位溶剂加入到反应釜中，升温至150
‑
180℃，搅拌15
‑
30分钟，将5
‑
10质量份数Ni源快速注入到反应釜中，反应1
‑
5分钟，合成Ni金属掺杂的CdSe量子点，记为CdSe/Ni量子点；
[0013]反应液继续升温至320
‑
340℃，将1
‑
5质量份数Co源、30
‑
50质量份数锌源、10
‑
20质量份数镉源、25
‑
35质量份数硒
‑
硫源依次快速注入到该反应釜中，反应1
‑
2h，反应液冷却至室温，加入体积比为1:3
‑
5的甲苯、乙醇通过离心洗涤并循环3
‑
5次，将所得滤饼溶于40
‑
50质量份数甲基丙烯酸丁酯中得到CdSe/Ni@CdZnSeS/Co双金属掺杂量子点；
[0014]反应液再升温至100
‑
150℃，向反应釜中注入10
‑
30质量份数磷脂源，搅拌，反应2
‑
4h，反应液冷却至室温，收集所得液体，得到自阻隔量子点溶液。
[0015]进一步的，所述硒
‑
硫源的制备过程为：在N2气氛下，将1
‑
5质量份数硒粉、20
‑
40质量份数硫粉和50
‑
70质量份数十八烯置于反应釜中，升温至100
‑
150℃，反应1
‑
2h，反应液冷却至室温，得到硒
‑
硫源。
[0016]进一步的，所述CdSe量子点包括红光CdSe量子点和绿光CdSe量子点；所述配位溶剂为油酸或油胺；所述Ni源为四水合乙酸镍或六水合氯化镍；所述Co源为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高稳定自阻隔量子点光学膜，其特征在于，所述量子点光学膜由上下两层PET基膜和夹设在两基膜间的量子点掺杂光学树脂层构成；所述量子点掺杂光学树脂层是由1wt％
‑
10wt％自阻隔量子点、60wt％
‑
80wt％丙烯酸类光学树脂、10wt％
‑
20wt％扩散粒子和1wt％
‑
10wt％光引发剂组成，其中，自阻隔量子点为疏水性磷脂聚合物包覆的CdSe/Ni@CdZnSeS/Co双金属掺杂量子点。2.一种高稳定自阻隔量子点光学膜的制备方法，其特征在于，包括：制备自阻隔量子点，所述自阻隔量子点为疏水性磷脂聚合物包覆的CdSe/Ni@CdZnSeS/Co双金属掺杂量子点；其中，自阻隔量子点的制备包括：将5wt％
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10wt％的Ni源在150
‑
180℃条件下快速注入到含有10wt％
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20wt％的CdSe量子点、40wt％
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60wt％的十八烯和20wt％
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30wt％的配位溶剂的反应釜中制得CdSe/Ni量子点，通过一锅法将1wt％
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5wt％的Co源、30wt％
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50wt％的锌源、10wt％
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20wt％的镉源、25wt％
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35wt％的硒
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硫源在320
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340℃条件下依次快速注入到该反应釜中得到CdSe/Ni@CdZnSeS/Co双金属掺杂量子点，最终向该量子点溶液中注入10wt％
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30wt％的磷脂源反应获得自阻隔量子点；制备量子点掺杂光学树脂，所述量子点掺杂光学树脂由1wt％
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10wt％自阻隔量子点、60wt％
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80wt％丙烯酸类光学树脂、10wt％
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20wt％扩散粒子和1wt％
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10wt％光引发剂在反应釜中均匀混合后升温至40
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60℃，反应20
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40分钟得到；制备高稳定自阻隔量子点光学膜，所述高稳定自阻隔量子点光学膜为将量子点掺杂光学树脂涂覆在第一层PET膜的一侧面形成复合膜层，再将第二层PET膜贴合于复合膜层远离第一层PET膜的一侧面，依次经过真空蒸镀处理、UV光固化和熟化后获得。3.根据权利要求2所述的高稳定自阻隔量子点光学膜的制备方法，其特征在于，所述自阻隔量子点的具体制备过程为：在N2氛围下，将10
‑
20质量份数CdSe量子点、40
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60质量份数十八烯和20
‑
30质量份数配位溶剂加入到反应釜中，升温至150
‑
180℃，搅拌15
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30分钟，将5
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10质量份数Ni源快速注入到反应釜中，反应1
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5分钟，合成Ni金属掺杂的CdSe量子点，记为CdSe/Ni量子点；反应液继续升温至320
‑
340℃，将1
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5质量份数Co源、30
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50质量份数锌源、10
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20质量份数镉源、25
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35质量份数硒
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硫源依次快速注入到该反应釜中，反应1
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2h，反应液冷却至室温，加入体积比为1:3
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【专利技术属性】
技术研发人员：房昊，周钰明，卜小海，盛晓莉，张贤，王芬，刘勇，
申请(专利权)人：南京贝迪新材料科技股份有限公司南京工程学院，
类型：发明
国别省市：