无源滤波器及其制备方法技术

本公开提供一种无源滤波器及其制备方法，属于射频器件技术领域。本公开提供一种无源滤波器，其包括：介质基板、至少一个电容以及至少一个电感。介质基板包括沿介质基板厚度方向设置的开槽，开槽的内壁包括第一部分，第一部分上至少部分点的切线的延伸方向与介质基板所在平面的延伸方向相交。电容包括背离所述介质基板方向依次设置的第一极板、第一层间介质层以及第二极板，电容的第一极板、电容的第二极板以及第一层间介质层在介质基板上的正投影重叠的部分，至少覆盖第一部分。至少覆盖第一部分。至少覆盖第一部分。

【技术实现步骤摘要】
无源滤波器及其制备方法


[0001]本公开属于射频器件
，具体涉及一种无源滤波器及其制备方法。

技术介绍

[0002]在当代，消费电子产业发展日新月异，以手机特别是5G手机为代表的移动通信终端发展迅速，手机需要处理的信号频段越来越多，需要的射频芯片数量也水涨船高，而获得消费者喜爱的手机形式向小型化、轻薄化、长续航不断发展。在传统手机中，射频PCB板上存在大量的分立器件如电阻、电容、电感、滤波器等，它们具有体积大、功耗高、焊点多、寄生参数变化大的缺点，难以应对未来的需求。射频芯片相互间的互联、匹配等需要面积小、高性能、一致性好的集成无源器件。目前市场上的集成无源器件主要是基于Si(硅)衬底和GaAs(砷化镓)衬底。Si基集成无源器件具有价格便宜的优点，但Si本身有微量杂质(绝缘性差)导致器件微波损耗较高，性能一般；GaAs基集成无源器件具有性能优良的优点，但价格昂贵。

技术实现思路

[0003]本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种无源滤波器及其制备方法。
[0004]第一方面，本公开提供一种无源滤波器，其包括：介质基板、至少一个电容以及至少一个电感；所述介质基板包括沿所述介质基板厚度方向设置的开槽；所述开槽的内壁包括第一部分，所述第一部分上至少部分点的切线的延伸方向与所述介质基板所在平面的延伸方向相交；所述电容包括背离所述介质基板方向依次设置的第一极板、第一层间介质层以及第二极板；所述电容的第一极板、所述电容的第二极板以及所述第一层间介质层在所述介质基板上的正投影重叠的部分，至少覆盖所述第一部分。
[0005]其中，所述介质基板还包括沿其厚度方向贯穿的第一连接过孔以及沿厚度方向相对设置的第一表面和第二表面；所述电感包括设置在所述介质基板的所述第一表面上的第一子结构，设置在所述介质基板的所述第二表面上的第二子结构，以及设置在所述第一连接过孔内的第一连接电极，且所述第一连接电极将所述第一子结构和所述第二子结构连接；所述电感与所述电容电连接。
[0006]其中，所述电感为多个，多个所述电感包括第一电感和第二电感；所述无源滤波器包括第一导电层；所述第一导电层包括所述第一电感的第一子结构、所述第二电感的第一子结构以及所述电容的第一极板；所述无源滤波器包括第二导电层；所述第二导电层包括所述第一电感的第二子结构以及所述第二电感的第二子结构；且所述第一电感的第一引线端和所述电容的第一极板相连，所述第二电感的第二引线端和所述电容的第一极板相连。
[0007]其中，所述第一层间介质层在所述介质基板上的正投影，覆盖所述第一子结构和所述电容的第一极板在所述介质基板上的正投影；所述无源滤波器还包括：设置在所述第一层间介质层和所述电容的第二极板背离所述介质基板一侧的第二层间介质层；设置在所
述第二层间介质层背离所述介质基板一侧的第三层间介质层；以及设置在背离所述第二介质层一侧的第一连接焊盘、第二连接焊盘以及第三连接焊盘；所述第一连接焊盘通过贯穿所述第一层间介质层和所述第二层间介质层上的第二连接过孔与所述第一电感的第二引线端相连；所述第二连接焊盘通过贯穿所述第一层间介质层和所述第二层间介质层上的第三连接过孔与所述第二电感的第一引线端相连；所述第三连接焊盘通过贯穿所述第二层间介质层上的第四连接过孔与所述电容的第二极板相连。
[0008]其中，所述开槽为盲槽。
[0009]其中，所述盲槽包括半球型盲槽、圆柱型盲槽以及立方体型盲槽。
[0010]其中，所述电容的第一极板、所述电容的第二极板以及所述第一层间介质层在所述介质基板上的正投影重叠的部分，完全覆盖所述开槽的内壁。
[0011]其中，所述介质基板包括玻璃基或硅基。
[0012]第二方面，本公开还提供一种无源滤波器的制备方法，制备方法包括：提供一介质基板，所述介质基板包括沿所述介质基板厚度方向设置的开槽；所述开槽的内壁包括第一部分，所述第一部分上至少部分点的切线的延伸方向与所述介质基板所在平面的延伸方向相交；形成至少一个电容和至少一个电感；形成所述电容的步骤包括：在背离所述介质基板一侧依次形成所述电容的第一极板、第一层间介质层和所述电容的第二极板；所述电容的第一极板和所述电容的第二极板以及第一层间介质层在所述介质基板上的正投影重叠的部分，覆盖所述第一部分。
[0013]其中，所述开槽包括盲槽；所述介质基板包括沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面；所述提供一介质基板包括：在所述介质基板的第一表面沿其厚度方向形成所述盲槽。
[0014]其中，所述提供一介质基板还包括：在所述介质基板沿其厚度方向，形成第一连接过孔。
[0015]其中，刻蚀工艺形成所述第一连接过孔和所述开槽。
[0016]其中，形成所述第一连接过孔和所述盲槽的步骤包括：对所述介质基板进行激光改性；以使所述介质基板在进行一次刻蚀工艺时，可同时进行各向同向刻蚀和各向异性刻蚀；通过一次刻蚀工艺形成所述开槽和所述第一连接过孔。
[0017]其中，所述形成至少一个所述电感的步骤还包括形成第一电感和第二电感；所述形成所述第一电感和所述第二电感的步骤包括：在所述第一连接过孔内形成第一连接电极；所述介质基板包括相对设置的第一表面和第二表面；在所述介质基板的所述第一表面形成所述第一电感的第一子结构和所述第二电感的第一子结构；在所述介质基板的所述第二表面形成所述第一电感的第二子结构和所述第二电感的第二子结构；所述第一电感的第一子结构、所述第一电感的第二子结构以及所述第一连接电极构成所述第一电感的线圈结构；所述第二电感的第一子结构、所述第二电感的第二子结构以及所述第一连接电极构成所述第二电感的线圈结构。
[0018]其中，制备方法还包括：在所述介质基板背离所述第一表面一侧形成第二层间介质层，并形成贯穿所述第一层间介质层和所述第二层间介质层的第二连接过孔和第三连接过孔，以及贯穿第二层间介质层的第四连接过孔；在所述介质基板背离所述第二表面一侧形成第三层间介质层；
[0019]所述基板的制备方法还包括：在背离所述第二层间介质层一侧形成第一连接焊盘、第二连接焊盘以及第三连接焊盘；
[0020]所述第一连接焊盘通过贯穿所述第一层间介质层和所述第二层间介质层上的所述第二连接过孔与所述第一电感的所述第一子结构相连；所述第二连接焊盘通过贯穿所述第一层间介质层和所述第二层间介质层上的所述第三连接过孔与所述第二电感的所述第一子结构相连；所述第三连接焊盘通过贯穿所述第二层间介质层上的所述第四连接过孔与所述电容的第二极板相连。
附图说明
[0021]图1为本公开实施例的无源滤波器的一种截面示意图；
[0022]图2为本公开实施例中电容的示意图；
[0023]图3为本公开实施例中电感的示意图；
[0024]图4为本公开实施例的无源滤波器的电路图；
[0025]图5为本公开实施例的集成式滤波器的一种截面示意图；
[0026]图6为本公开实施例的无源滤波器的制备流程示意图；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种无源滤波器，其特征在于，包括：介质基板、至少一个电容以及至少一个电感；所述介质基板包括沿所述介质基板厚度方向设置的开槽；所述开槽的内壁包括第一部分，所述第一部分上至少部分点的切线的延伸方向与所述介质基板所在平面的延伸方向相交；所述电容包括背离所述介质基板方向依次设置的第一极板、第一层间介质层以及第二极板；所述电容的第一极板、所述电容的第二极板以及所述第一层间介质层在所述介质基板上的正投影重叠的部分，至少覆盖所述第一部分。2.根据权利要求1所述的无源滤波器，其特征在于，所述介质基板还包括沿其厚度方向贯穿的第一连接过孔以及沿厚度方向相对设置的第一表面和第二表面；所述电感包括设置在所述介质基板的所述第一表面上的第一子结构，设置在所述介质基板的所述第二表面上的第二子结构，以及设置在所述第一连接过孔内的第一连接电极，且所述第一连接电极将所述第一子结构和所述第二子结构连接；所述电感与所述电容电连接。3.根据权利要求2所述的无源滤波器，其特征在于，所述电感为多个，多个所述电感包括第一电感和第二电感；所述无源滤波器包括第一导电层；所述第一导电层包括所述第一电感的第一子结构、所述第二电感的第一子结构以及所述电容的第一极板；所述无源滤波器包括第二导电层；所述第二导电层包括所述第一电感的第二子结构以及所述第二电感的第二子结构；且所述第一电感的第一引线端和所述电容的第一极板相连，所述第二电感的第二引线端和所述电容的第一极板相连。4.根据权利要求3所述的无源滤波器，其特征在于，所述第一层间介质层在所述介质基板上的正投影，覆盖所述第一子结构和所述电容的第一极板在所述介质基板上的正投影；所述无源滤波器还包括：设置在所述第一层间介质层和所述电容的第二极板背离所述介质基板一侧的第二层间介质层；设置在所述第二层间介质层背离所述介质基板一侧的第三层间介质层；以及设置在背离所述第二介质层一侧的第一连接焊盘、第二连接焊盘以及第三连接焊盘；所述第一连接焊盘通过贯穿所述第一层间介质层和所述第二层间介质层上的第二连接过孔与所述第一电感的第二引线端相连；所述第二连接焊盘通过贯穿所述第一层间介质层和所述第二层间介质层上的第三连接过孔与所述第二电感的第一引线端相连；所述第三连接焊盘通过贯穿所述第二层间介质层上的第四连接过孔与所述电容的第二极板相连。5.根据权利要求1所述的无源滤波器，其特征在于，所述开槽为盲槽。6.根据权利要求5所述的无源滤波器，其特征在于，所述盲槽包括半球型盲槽、圆柱型盲槽以及立方体型盲槽。7.根据权利要求1所述的无源滤波器，其特征在于，所述电容的第一极板、所述电容的第二极板以及所述第一层间介质层在所述介质基板上的正投影重叠的部分，完全覆盖所述开槽的内壁。8.根据权利要求1
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7中任一项所述的无源滤波器，其特征在于，所述介质基板包括玻璃
基或硅基。9.一种无源滤波器的制备...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹雪，肖月磊，李月，车春城，吴艺凡，安齐昌，常文博，周毅，冯昱霖，韩基挏，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：