【技术实现步骤摘要】
测定二维材料表面电荷密度分布的成像方法
[0001]本专利技术涉及成像分析
，具体涉及一种测定二维材料表面电荷密度分布的成像方法。
技术介绍
[0002]电荷在物理、化学、生物反应中起着重要的作用，如何检测反应过程中的电荷，成了人们关心的问题。基于二硫化钼的FET是一种测量结合表面的带电粒子方法，并广泛用于蛋白质的特异性检测，早期还对癌症生物标志物的检测发展做出了很大贡献。但是这种方法不具有成像能力，无法提供直观的表面电荷信息。传统的无标记检测成像方法有导电探针原子力显微技术(C
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AFM)，这种机械检测方法通过直径只有十到几十纳米的导电针尖与样品接触，接触过程中，在探针与样品之间施加偏压，并在探针扫描样品表面时测量两者之间的电流，形成电导率图像，具有极高的空间分辨率，但是生成图像的时间长，要求测量的样品面积较小，操作复杂，且探针成本也较为高昂。
[0003]光学成像方法大大缩短测量时间，比如可以使用表面等离子体显微镜技术测量样品表面的电荷分布情况。通过对电极表面施加交流电，表面等离子体显微镜...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种测定二维材料表面电荷密度分布的成像方法，包括：将二硫化钼薄层，固定在氧化铟锡导电芯片上，向所述氧化铟锡导电芯片中加入样品液或电解质盐溶液，得到待测芯片；将所述待测芯片放置于阻抗
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干涉反射成像系统的样品台上，将所述待测芯片与三电极体系连接，利用相机采集所述待测芯片中的所述二硫化钼薄层的干涉反射成像；提取所述干涉反射成像中的典型样品区域；对所述干涉反射成像中的像素点以及所述典型样品区域内的平均光学强度做快速傅里叶变换处理，得到幅度信息；将每个所述像素点的所述幅度信息进行累计，得到表面电荷分布的图像。2.根据权利要求1所述的测定二维材料表面电荷密度分布的成像方法，所述氧化铟锡导电芯片包括固定连接的氧化铟锡导电玻璃以及样品池；其中，所述样品池用于存放样品液或电解质盐溶液；所述氧化铟锡导电玻璃用于接入电流。3.根据权利要求2所述的测定二维材料表面电荷密度分布的成像方法，所述连接三电极体系包括参比电极、对电极和工作电极；其中，所述参比电极与所述对电极插入所述样品池内的样品液或电解质盐溶液中；所述工作电极与所述氧化铟锡导电玻璃相连。4.根据权利要求3所...
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