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本发明涉及成像分析技术领域，具体涉及一种测定二维材料表面电荷密度分布的成像方法，包括将二硫化钼薄层，固定在氧化铟锡导电芯片上，向氧化铟锡导电芯片中加入样品液或电解质盐溶液，得到待测芯片；将待测芯片放置于阻抗
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该专利属于中国科学技术大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学技术大学授权不得商用。

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