电源电压供电电路制造技术

一种电源电压供电电路，其包括一信号输入端、一ＰＭＯＳ晶体管、一第一ＮＭＯＳ晶体管、一主电源、一备用电源、一驱动电路及一隔离电路，所述信号输入端与所述ＰＭＯＳ晶体管的栅极连接，所述隔离电路连接在所述信号输入端与所述第一ＮＭＯＳ晶体管的栅极之间，所述驱动电路与所述隔离电路并联连接，所述ＰＭＯＳ晶体管的源极与所述备用电源连接，所述第一ＮＭＯＳ晶体管的源极与所述主电源连接，所述ＰＭＯＳ晶体管及所述第一ＮＭＯＳ晶体管的漏极作为电压输出端，所述信号输入端输入的控制信号为高电平时，所述隔离电路导通使所述控制信号传送至所述第一ＮＭＯＳ晶体管的栅极，所述电压输出端输出所述主电源电压，所述信号输入端输入的控制信号为低电平时，所述隔离电路阻隔所述控制信号传送至所述第一ＮＭＯＳ晶体管的栅极，所述驱动电路接收所述控制信号后将所述第一ＮＭＯＳ晶体管的栅极拉低为低电平，所述电压输出端输出所述备用电源电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种供电电路，特别涉及一种电源电压供电电路。技术背景图l为现有一种主从式电源电压供电电路的电路图，其包括一信号输入端SCL1、 一第一 驱动装置IO、 一第二驱动装置20、 一主电源V1、 一备用电源V2、 一P沟道金属氧化物半导体(P-channel metal oxide semiconductor, PM0S)晶体管M1及一N沟道金属氧化物半导体( N-channel metal oxide semiconductor, NM0S)晶体管M2。所述信号输入端SCLl提供一控 制信号，所述主电源V1提供一主电源电压，所述备用电源V2提供一备用电源电压。所述信号输入端SCL1连接所述第一驱动装置10及所述第二驱动装置20的输入端。所述第 一驱动装置10的输出端与所述PM0S晶体管M1的栅极连接，所述第二驱动装置20的输出端与所 述丽0S晶体管M2的栅极连接。所述PM0S晶体管M1的源极与所述备用电源V2连接，所述丽0S 晶体管M2的源极与所述主电源V1连接。所述主电源V1及所述备用电源V2分别通过一电容(图 未标号)接地，用于滤除杂讯。所述PM0S晶体管M1及所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1. 一种电源电压供电电路，其包括一信号输入端、一PMOS晶体管、一第一NMOS晶体管、一主电源、一备用电源、一驱动电路及一隔离电路，所述信号输入端与所述PMOS晶体管的栅极连接，所述隔离电路连接在所述信号输入端与所述第一NMOS晶体管的栅极之间，所述驱动电路与所述隔离电路并联连接，所述PMOS晶体管的源极与所述备用电源连接，所述第一NMOS晶体管的源极与所述主电源连接，所述PMOS晶体管及所...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄种棋，袁广东，潘建纯，张卫民，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：