电能储存装置及方法制造方法及图纸

一种用以储存电能的装置，此种装置具有一第一磁性区，一第二磁性区以及配置于第一磁性区及第二磁性区之间的一介电区。其中本装置，是利用介电区来储存电能以及利用第一磁性区和第二磁性区的双极来防止电能的泄漏。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别涉及一种用以储存电能的磁性 设备。
技术介绍
能源的储存部件在我们的生活之中占了重要的一部分，例如用于电路中的 电容以及用于可携式装置的电池的类的组件，电能储存部件影响了电子装置的 执行效能以及作业时间。然而，现有的能源储存部件具有一些问题。举例而言，电容具有因为漏电 流而降低整体效能的问题，而电池则具有因为部分充/放电的记忆效应而降低 整体效能的问题。巨磁阻效应(Giant Magnetoresistance Effect, GMR)是一种能够自具有薄磁 性或薄非磁性区的结构中，所观测到的量子物理效应。巨磁阻效应显现出了电 阻对外加电场产生反应，从零场(zero-field)高阻抗状态至高场(high-field)低阻抗状态时的显着变化。因此，可以利用巨磁阻效应来作成高效能绝缘体，如此具有巨磁阻效应的 装置能够被用来储存电能。从上述理由看来，对于此种具有巨磁阻效应的电能 储存装置是有着实际的需求。
技术实现思路
因此本专利技术的一 目的在于提供一种。 依据本专利技术的一种实施例，本装置具有一第一磁性区， 一第二磁性区以及 配置于第一磁性区及第二磁性区之间的一介本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电能储存装置，其特征在于，包含：一第一磁性区；一第二磁性区；以及一介电区配置于该第一磁性区及该第二磁性区之间，其中该介电区被用以储存电能，以及具有数个双极的该第一磁性区及该第二磁性区被用以防止电能泄漏。

【技术特征摘要】
US 2007-1-19 11/624,7381.一种电能储存装置，其特征在于，包含一第一磁性区；一第二磁性区；以及一介电区配置于该第一磁性区及该第二磁性区之间，其中该介电区被用以储存电能，以及具有数个双极的该第一磁性区及该第二磁性区被用以防止电能泄漏。2. 根据权利要求1所述的电能储存装置，其特征在于，该介电区为一薄膜。3. 根据权利要求l所述的电能储存装置，其特征在于，该介电区为介电 材料所构成。4. 根据权利要求l所述的电能储存装置，其特征在于，该第一磁性区为 一薄膜。5. 根据权利要求l所述的电能储存装置，其特征在于，该第二磁性区为 一薄膜。6. 根据权利要求l所述的电能储存装置，其特征在于，更包含一第一金 属组件配置于该第一磁性区周围，用以控制该第一磁性区的双极。7. 根据权利要求l所述的电能储存装置，其特征在于，更包含一第二金 属组件配置于该第二磁性区周围，用以控制该第二磁性区的双极。8. 根据权利要求l所述的电能储存装置，其特征在于，当该电能储存装 置储存着电能时，该第一磁性区及该第二磁性区的双极相同。9. 根据权利要求1所述的电能储存装置，其特征在于，当该电能储存装 置于充电时，该...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖锜，汤姆艾伦阿甘，
申请(专利权)人：北极光股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]