带有具有包括金属柱的带盖腔的IC的倒装芯片封装制造技术

一种半导体封装(250)包含IC(100

【技术实现步骤摘要】
带有具有包括金属柱的带盖腔的IC的倒装芯片封装


[0001]本公开涉及包含内含接合垫上的金属柱的集成电路(IC)的倒装芯片半导体封装。

技术介绍

[0002]塑料模制IC封装中的精密组件可能受到由模制化合物引发的局部应力的影响。存在若干精密模拟IC类型，包含包括电压参考电路的模拟IC。具有电压参考电路的IC经设计使得它们的输出电压是稳定的。这用最小化它们的输出电压对温度的敏感度的电路拓扑及物理半导体(例如，硅)布局以及通过采用试图最小化从封装引发的应力到电压参考电路的输出电压变动的封装方法来实现。存在三种常见类型的电压参考电路：充电电容器、齐纳及带隙。最常见的电压参考电路类型是带隙电压参考电路。
[0003]带隙电压参考电路通常用在例如用于模/数转换器(ADC)及数/模转换器(DAC)的混合信号IC中，以独立于电源变动、温度变化及负载而提供固定(或本质上恒定)的DC电压。已知带隙电压参考是双极(或二极管)基极
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发射极结电压(Vbe)及与绝对温度(PTAT)电压的比例的组合。已知硅二极管的Vbe在室温下是约650mV，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，其包括：集成电路IC，其包括衬底，所述衬底包含具有经配置用于至少一个功能的电路系统的至少一个半导体表面，其中所述电路系统的一些节点经连接到接合垫，其中第一金属柱在所述接合垫上，且圆顶支撑金属柱经配置成具有界定内腔的顶部边缘的环，其中所述顶部边缘上的焊料在所述内腔的区域上方延伸用于提供覆盖所述内腔的所述焊料的圆顶以在所述电路系统的一部分上方提供带盖气腔；引线框架，其包含多个引线或引线端子；其中所述IC用焊料连接倒装芯片附接到所述引线框架，使得所述第一金属柱经附接到所述引线或所述引线端子，及模制化合物，其为所述半导体封装提供囊封，惟在所述引线或所述引线端子的至少一个底侧上除外。2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述环自始至终是连续环，使得所述带盖气腔包括密封气腔，且其中所述模制化合物也被排除而不在所述密封气腔内。3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述环是包含至少一个间隙的非连续环。4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述引线框架包括无引线的引线框架。5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第一金属柱及所述圆顶支撑金属柱各自包括包含铜的贱金属，所述半导体封装进一步包括在所述第一金属柱的所述顶部边缘上且在所述圆顶支撑金属柱上的至少一种焊料可润湿金属。6.根据权利要求5所述的半导体封装，其中所述至少一种焊料可润湿金属包括镍层及所述镍上的贵金属层，其中所述贵金属包括金、钯及钯镍合金中的至少一者。7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述电路系统的所述部分包括小于所述IC的面积的30％。8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述电路系统的所述部分包括模/数转换器ADC、数/模转换器DAC、带隙电压参考及微机电系统MEMS传感器中的至少一者。9.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述IC包含至少一个钝化层，且其中所述带盖气腔的底侧与所述钝化层物理接触。10.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述焊料圆顶的厚度是从10μm到200μm。11.一种方法，其包括：提供在制集成电路IC，其包括衬底，所述衬底包含具有经配置用于至少一个功能的电路系统的至少一个半...

【专利技术属性】
技术研发人员：C，
申请(专利权)人：德州仪器公司，
类型：发明
国别省市：