电子组件及制造电子组件的方法技术

本公开提供一种电子组件及制造电子组件的方法。所述电子组件包括：多个介电层；以及多个第一内电极和多个第二内电极，所述第一内电极和所述第二内电极交替地设置，且对应的介电层介于所述第一内电极与所述第二内电极之间。所述多个第一内电极中的一个第一内电极包括：金属层，包含Ni和Sn；第一石墨烯层，设置在所述金属层的下表面上；以及第二石墨烯层，设置在所述金属层的上表面上。所述金属层的上表面上。所述金属层的上表面上。

【技术实现步骤摘要】
电子组件及制造电子组件的方法
[0001]本申请要求于2020年11月16日在韩国知识产权局提交的第10
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2020
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0152643号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。


[0002]本公开涉及一种电子组件及制造电子组件的方法。

技术介绍

[0003]多层电容器(诸如，多层陶瓷电容器(MLCC))可包括多个介电层和多个内电极，多个内电极交替地设置且介电层介于内电极之间。

技术实现思路

[0004]根据本公开的一方面，Sn可用作添加剂以改善内电极的特性。添加到内电极的Sn可改善可靠性(例如，内电极的高温负载寿命和连接性)。然而，Sn可从内电极扩散到介电层。扩散到介电层的Sn可与包括在介电层中的氧反应，使得电容会减少。
[0005]本公开的一方面在于提供一种具有改善的可靠性的电子组件。
[0006]本公开的另一方面在于提供一种制造具有改善的可靠性的电子组件的方法。
[0007]根据本公开的一方面，一种电子组件包括：多个介电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子组件，包括：多个介电层；以及多个第一内电极和多个第二内电极，所述第一内电极和所述第二内电极交替地设置，且对应的介电层介于所述第一内电极与所述第二内电极之间，其中，所述多个第一内电极中的一个第一内电极包括：金属层，包含Ni和Sn；第一石墨烯层，设置在所述金属层的下表面上；以及第二石墨烯层，设置在所述金属层的上表面上。2.根据权利要求1所述的电子组件，其中，所述金属层包括：第一Ni
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Sn合金层，在与所述第一石墨烯层接触的区域中键合到所述第一石墨烯层；以及第二Ni
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Sn合金层，在与所述第二石墨烯层接触的区域中键合到所述第二石墨烯层。3.根据权利要求1所述的电子组件，其中，所述多个第一内电极中的所述一个第一内电极包括：第一部分，与所述多个第二内电极叠置，并且对电容有贡献；以及第二部分，不与所述多个第二内电极叠置，并且其中，所述第一石墨烯层或所述第二石墨烯层覆盖所述第一部分。4.根据权利要求3所述的电子组件，其中，所述第一石墨烯层或所述第二石墨烯层与所述第二部分间隔开或者仅覆盖所述第二部分的一部分。5.根据权利要求1所述的电子组件，其中，所述金属层的侧表面连接所述金属层的所述上表面和所述下表面，并且其中，所述一个第一内电极还包括第三石墨烯层，所述第三石墨烯层设置在所述金属层的所述侧表面上并且连接到所述第一石墨烯层和所述第二石墨烯层。6.根据权利要求1所述的电子组件，其中，主体包括所述多个介电层以及所述多个第一内电极和所述多个第二内电极，其中，所述电子组件还包括设置在所述主体的一个表面上的外电极，其中，所述多个第一内电极中的所述一个第一内电极通过所述主体的所述一个表面与所述外电极接触，并且其中，在所述主体的所述一个表面上，所述第一石墨烯层或所述第二石墨烯层比所述介电层突出并且与所述外电极接触。7.根据权利要求6所述的电子组件，其中，所述金属层包括与所述外电极接触的凹部。8.根据权利要求1所述的电子组件，其中，所述第一石墨烯层在所述电子组件的宽度方向上的第一宽度与所述第二石墨烯层在所述宽度方向上的第二宽度不同。9.根据权利要求1所述的电子组件，其中，所述第一石墨烯层在所述电子组件的宽度方向上的第一宽度大于所述金属层在所述宽度方向上的第三宽度。10.根据权利要求9所述的电子组件，其中，所述金属层在所述宽度方向上的第一侧表面、所述第一石墨烯层或所述第二石墨烯层在所述宽度方向上的第二侧表面以及所述介电层在所述宽度方向上的第三侧表面彼此平行，并且其中，0<D≤Da/2，其中，Da是从所述金属层的所述第一侧表面到所述介电层的所述第三侧表面的距离，并且D是从所述金属层的所述第一侧表面到所述第一石墨烯层或所述第二石墨烯层的所述第二侧表面的距离。
11.一种电子组件，包括：主体，包括多个介电层以及多个第一内电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘元熙，李相汶，李恩光，罗在永，郑汉胜，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：