一种单层陶瓷电容器晶界层半导体陶瓷材料及其制备制造技术

本发明专利技术涉及一种单层陶瓷电容器晶界层半导体陶瓷材料，该材料按重量百分比由以下原料制成：SrCO

【技术实现步骤摘要】
一种单层陶瓷电容器晶界层半导体陶瓷材料及其制备


[0001]本专利技术涉及电阻材料
，特别是涉及一种单层陶瓷电容器晶界层半导体陶瓷材料及其制备。

技术介绍

[0002]在现代电子领域的发展中，电子装置的小型化和多功能化已经成为发展趋势，电子领域对片式电子元器件的需求日益递增，从而带动了片式电子元器件的飞速发展。晶界层半导体陶瓷材料具有温度特性好，介电常数高和频率特性好等优点，在单层片式半导体陶瓷材料中占据重要地位。
[0003]现有晶界层半导体陶瓷材料的制作工艺一般为：材料配比
→
与去离子水混合
→
烘干
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粉碎
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煅烧
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过筛
→
加添加剂
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混合
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流延成膜
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排胶
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在氢氮混合气体中还原
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涂覆氧化剂，空气气氛中氧化，烧结
→
单层电容器用基片。然而，这种工艺制得的晶界层大多添加了镉和铅等重金属，在生产和使用的过程中对本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单层陶瓷电容器晶界层半导体陶瓷材料，其特征在于，按重量百分比由以下原料制成：SrCO3ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
60～69％TiO2ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
30～38％添加剂
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
0.2～3％；其中，所述添加剂为ZnO、CaCO3、CuO、La2O3、Li2CO3、B2O3、SiO2和Bi2O3中的一种或多种组合。2.根据权利要求1所述的材料，其特征在于，所述添加剂由ZnO、CaCO3、CuO、La2O3、Li2CO3、B2O3、SiO2和Bi2O3组成。3.根据权利要求2所述的材料，其特征在于，所述添加剂中各组分占所述材料的重量百分比为：4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的材料，其特征在于，由SrCO3、TiO2和添加剂混合后通过高温烧结制成。5.权利要求1
‑
4任一项所述材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)按配比将SrCO3与TiO2配好料，然后混合，球磨，烘干，粉碎；(2)将...

【专利技术属性】
技术研发人员：葛鸿钊，葛培盛，杨春根，程艳萍，袁镇安，
申请(专利权)人：广东芯晟电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：