介电组合物和包含该介电组合物的多层电容器制造技术

本发明专利技术提供了一种介电组合物和包含该介电组合物的多层电容器。所述介电组合物包含：钛酸钡(BaTiO3)；以及基于100mol的钛酸钡，0.6mol至0.9mol的钙(Ca)和0.5mol至2.0mol的镁(Mg)。镁(Mg)。镁(Mg)。

【技术实现步骤摘要】
介电组合物和包含该介电组合物的多层电容器
[0001]本申请要求于2020年11月03日在韩国知识产权局提交的第10
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2020
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0145461号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。


[0002]本公开涉及一种介电组合物和包含该介电组合物的多层电容器。

技术介绍

[0003]多层电容器是使用介电材料的电子组件。最近，根据其中设置多层电容器的电子产品的趋势，已要求多层电容器小型化和高度集成。
[0004]为了使多层电容器小型化和高度集成，需要减薄构成多层电容器的介电层和内电极。
[0005]然而，当介电层减薄时，在施加相同电压的条件下施加到介电层的电场的强度增大，使得多层电容器的耐受电压可能降低，多层电容器的可靠性可能劣化，并且多层电容器的直流(DC)偏置特性可能劣化。

技术实现思路

[0006]本公开的一方面可提供一种介电组合物和包含所述介电组合物的多层电容器，所述介电组合物即使形成具有低厚度的介电层也能够显著减少多层电容器的耐受本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种介电组合物，包含：钛酸钡；以及基于100mol的钛酸钡，0.6mol至0.9mol的钙和0.5mol至2.0mol的镁。2.根据权利要求1所述的介电组合物，所述介电组合物还包含镝和铽。3.根据权利要求2所述的介电组合物，其中，以氧化物或碳酸盐的形式包含镝和铽。4.根据权利要求2所述的介电组合物，其中，基于100mol的钛酸钡，镝的含量为0.8mol至2.0mol。5.根据权利要求2所述的介电组合物，其中，基于100mol的钛酸钡，铽的含量为0.001mol至0.2mol。6.一种多层电容器，包括：主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体上以便连接到所述内电极，其中，所述介电层包括多个介电晶粒，每个介电晶粒包含钛酸钡以及基于100mol的钛酸钡的0.6mol至0.9mol的钙和0.5mol至2.0mol的镁。7.根据权利要求6所述的多层电容器，其中，所述介电晶粒还包含镝和铽。8.根据权利要求6所述的多层电容器，其中，所述介电层的平均厚度为0.4μm或更小。9.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴柾玧，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：