存储器组件制造技术

本发明专利技术公开一种存储器组件，其包括存储器结构。所述存储器结构包括衬底、沟道区、第一掺杂区、第二掺杂区、浮动栅极以及介电层。所述沟道区设置于所述衬底上。所述第一掺杂区所述与第二掺杂区设置于所述衬底上且分别位于所述沟道区的两侧。所述浮动栅极设置于所述沟道区上。所述介电层设置于所述浮动栅极和所述沟道区之间、所述浮动栅极和所述第一掺杂区之间以及所述浮动栅极和所述第二掺杂区之间。所述浮动栅极和所述第一掺杂区部分交叠，和/或所述浮动栅极和所述第二掺杂区不交叠，且在所述沟道区的长度方向上，所述浮动栅极的邻近所述第二掺杂区的侧壁和所述第二掺杂区与所述沟道区之间的边界隔开一段距离。区之间的边界隔开一段距离。区之间的边界隔开一段距离。

【技术实现步骤摘要】
存储器组件


[0001]本专利技术涉及一种存储器组件，且特别是涉及一种可改善弱编程(weak
‑
program)或固定位(stuck bit)(也称为过度擦除(over
‑
erase))现象的存储器组件。

技术介绍

[0002]非易失性存储器(non
‑
volatile memory，NVM)具有编程操作、读取操作、擦除操作等多操作的优点，且断电后存储的数据不会消失，因此非易失性存储器已广泛应用于个人计算机和电子设备。
[0003]一般来说，非易失性存储器的编程操作的效率可取决于栅极和源极之间的耦合效应(coupling effect)以与栅极和漏极之间的耦合效应。根据工艺对包括非易失性存储器的存储器组件的影响，在一种情况下，非易失性存储器的初始电子注入点(electron injection point)可能太高而无法注入足够的电子，因此在非易失性存储器的编程操作期间会发生弱编程。在另一种情况下，电子可能无法有效注入，因此在非易失性存储器的编程操作期间会发生固定位。如此一来，编程操本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器组件，其特征在于，包括：存储器结构，包括：衬底；沟道区，设置于所述衬底上；第一掺杂区与第二掺杂区，设置于所述衬底上且分别位于所述沟道区的两侧；浮动栅极，设置于所述沟道区上；以及介电层，设置于所述浮动栅极和所述沟道区之间、所述浮动栅极和所述第一掺杂区之间以及所述浮动栅极和所述第二掺杂区之间，其中所述浮动栅极和所述第一掺杂区部分交叠，或其中所述浮动栅极和所述第二掺杂区不交叠，且在所述沟道区的长度方向上，所述浮动栅极的邻近所述第二掺杂区的侧壁和所述第二掺杂区与所述沟道区之间的边界相隔一距离，或其中所述浮动栅极和所述第一掺杂区部分交叠，所述浮动栅极和所述第二掺杂区不交叠，且在所述沟道区的长度方向上，所述浮动栅极的邻近所述第二掺杂区的侧壁和所述第二掺杂区与所述沟道区之间的边界相隔一距离。2.根据权利要求1所述的存储器组件，其特征在于，所述浮动栅极与所述第一掺杂区交叠的宽度介于所述沟道区的长度的0.2倍与2倍之间。3.根据权利要求2所述的存储器组件，其特征在于，所述第一掺杂区的宽度等于所述第二掺杂区的宽度。4.根据权利要求1所述的存储器组件，其特征在于，所述浮动栅极与所述第一掺杂区交叠的宽度介于所述浮动栅极的宽度的0.2倍与0.5倍之间。5.根据权利要求4所述的存储器组件，其特征在于，所述第一掺杂区的宽度大于所述第二掺杂区的宽度。6.根据权利要求1所述的存储器组件，其特征在于，所述浮动栅极与所述第一掺杂区交叠的宽度介于0.9μm与9μm之间。7.根据权利要求1所述的存储器组件，其特征在于，所述距离介于所述浮动栅极的宽度的0.05倍与0.5倍...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏婷婷，
申请(专利权)人：力旺电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：