择优取向的氮化铝薄膜的制备方法技术

本申请公开了一种择优取向的氮化铝薄膜的制备方法，该择优取向的氮化铝薄膜的制备方法包括：提供一Si(111)衬底；将Si(111)衬底依次置入丙酮、酒精和去离子水中进行超声波水浴清洗，并将超声波水浴清洗后的Si(111)衬底置入氟化氢溶液中浸泡；将浸泡后的Si(111)衬底置入磁控溅射仪腔室中，并对磁控溅射仪腔室进行抽真空处理；将Si(111)衬底的温度提升至预设温度，并向磁控溅射仪腔室通入氮气和氩气；利用预设铝靶对Si(111)衬底进行溅射处理，以在Si(111)衬底生成AlN(110)薄膜。通过本方案可以制备择优取向的AlN(110)薄膜，进而提高声表面波器件的性能。表面波器件的性能。表面波器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
择优取向的氮化铝薄膜的制备方法


[0001]本申请实施例涉及压电薄膜材料
，具体涉及一种择优取向的氮化铝薄膜的制备方法。

技术介绍

[0002]声表面波(SAW)器具有体积小、质量轻、信号处理能力优异、稳定性好等特点，被广泛用于移动通信、电视广播以及各种军用通讯中。随着4G网络以及频率更高的通讯网络的出现和发展，声表面波器件的使用频率不断提高，而AlN薄膜具有所有无机非压电材料中最高的声表面波速度，因此可以成为有效提高声表面波器件中心频率的压电材料。
[0003]目前，AlN薄膜一般生长在异质衬底上。由于AlN与衬底存在较大的晶格失配度和热膨胀失配度，导致AlN薄膜晶体质量差，存在较高的位错密度和较大的应力，严重影响了声表面波器件的性能。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种择优取向的氮化铝薄膜的制备方法，可以得到择优取向的AlN(110)薄膜，进而提高声表面波器件的性能。
[0005]本申请实施例提供了一种择优取向的氮化铝薄膜的制备方法，包括：
[0006]提供一Si(111)衬底；...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种择优取向的氮化铝薄膜的制备方法，其特征在于，包括：提供一Si(111)衬底；将所述Si(111)衬底依次置入丙酮、酒精和去离子水中进行超声波水浴清洗，并将超声波水浴清洗后的所述Si(111)衬底置入氟化氢溶液中浸泡；将浸泡后的所述Si(111)衬底置入磁控溅射仪腔室中，并对所述磁控溅射仪腔室进行抽真空处理；将所述Si(111)衬底的温度提升至预设温度，并向所述磁控溅射仪腔室通入氮气和氩气；利用预设铝靶对所述Si(111)衬底进行溅射处理，以在所述Si(111)衬底生成AlN(110)薄膜。2.如权利要求1所述的择优取向的氮化铝薄膜的制备方法，其特征在于，所述超声波水浴清洗的时长为5～10分钟。3.如权利要求1所述的择优取向的氮化铝薄膜的制备方法，其特征在于，所述氟化氢溶液的浓度为3％～8％，浸泡的时长为20～40秒。4.如权利要求1所述的择优取向的氮化铝薄膜的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射仪腔室的真空度为1

【专利技术属性】
技术研发人员：罗景庭，郭峰，李志琼，付琛，陶然，
申请(专利权)人：深圳大学，
类型：发明
国别省市：