氮气纯化脱氧物料及氮气纯化装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种氮气纯化脱氧物料及氮气纯化装置，氮气纯化脱氧物料包括经混合气预处理的钯触媒；所述混合气包括氮气和水蒸气，所述水蒸气的体积浓度至少为3％；所述预处理为用温度为260℃～550℃的混合气熏蒸所述钯触媒。本发明专利技术申请提供的氮气纯化脱氧物料及氮气纯化装置通过采用经混合气预处理的钯触媒，混合气含有水蒸气，在一定温度下对钯触媒进行熏蒸，所得到的钯触媒可在更低的反应温度下与氢气反应，去除氮气中的氧气，实现低能耗氮气纯化。化。化。

【技术实现步骤摘要】
氮气纯化脱氧物料及氮气纯化装置


[0001]本专利技术涉及电子级纯化气体制造
，特别是涉及一种氮气纯化脱氧物料及氮气纯化装置。

技术介绍

[0002]电子生产工业中，需要用到特种气体，如高纯的氧气、氮气、二氧化碳、氩气和丙烷等等，这些特种气体的纯度要远远高于普通的工业气体。普通工业气体的纯度在99.99％(通常称为4个9级别)以内，即可满足使用要求，而特种气体，尤其是先进制程的集成电路中，气体的纯度要求则在6个9以上。实际上，在目前最先进的芯片制程中，气体纯度要求甚至达到10个9。我国在芯片制造上受制于外国，特种气体纯度要求无法达标，目前在我国芯片制造产业中，88％的市场份额为外国电子特气生产商占有。
[0003]特种气体中的高纯氮气在集成电路、半导体和电真空器件制造中用作保护气和运载气。例如半导体行业中，为向反应系统提供所需能量，需要通过气体混合，在硅片表面沉积一层固体膜，这种工艺称为“化学气相沉淀(CVD)”，高纯氮就是用作CVD时的载气。另外，高纯氮在外延、光刻、清洗和蒸发等工序中，也作为置换、干燥、贮存和输送用气体。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮气纯化脱氧物料，其特征在于，包括经混合气预处理的钯触媒；所述混合气包括氮气和水蒸气，所述水蒸气的体积浓度至少为3％；所述预处理为用温度为260℃～550℃的混合气熏蒸所述钯触媒。2.根据权利要求1所述的氮气纯化脱氧物料，其特征在于，所述水蒸气的体积浓度为5％。3.根据权利要求1所述的氮气纯化脱氧物料，其特征在于，所述混合气的温度为320℃。4.根据权利要求1所述的氮气纯化脱氧物料，其特征在于，所述熏蒸所述钯触媒的持续时间为5～12小时。5.一种氮气纯化装置，其特征在于，包括一氧化碳吸附组件、二氧化碳吸附组件和氧气吸附组件，所述氧气吸附组件包括氢气输送部和加热反应部，所述加热反应部内填充有如权利要求1～4中任一项所述的氮气纯化脱氧物...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹德承，李铁，易海，
申请(专利权)人：湖北玖恩智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：