一种OLED器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种OLED器件及其制备方法，涉及有机发光半导体技术领域。该OLED器件包括：由下到上依次排布的基板、金属反射电极、有机层、金属半透明电极和DBR；其中，所述金属反射电极、所述有机层和所述金属半透明电极构成第一微腔；所述金属半透明电极与所述DBR构成第二微腔。本发明专利技术的双微腔效应不需要在器件结构中放置一层薄层金属，避免了金属颗粒会渗透进有机层，易造成器件导通的问题。易造成器件导通的问题。易造成器件导通的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种OLED器件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及有机发光半导体
，特别是涉及一种OLED器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]TEOLED由于光从上侧发射，TFT驱动电路可以布置在底部基板侧，理论开口率可以达到100％，更有利于OLED器件与电路的集成。而且TEOLED器件还具有提高器件效率、窄化光谱和提高色纯度的优点，所以特别适合用来制备大尺寸、高清晰度、全彩色的有源显示设备。
[0003]现有的技术通过在TEOLED器件结构中放置金属超薄层，一般是Al、Ag等金属，然而蒸镀时金属的大密度、高速率会使金属颗粒渗透进有机层，极易导致器件导通。
[0004]因此，如何设计一种不易导通的OLED器件，成为本领域亟需解决的技术问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是提供一种OLED器件及其制备方法，解决了现有TEOLED器件中金属颗粒容易渗透进有机层导致导通的问题。
[0006]为实现上述目的，本专利技术提供了如下方案：
[0007]一种OLED器件，该器件包括：
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种OLED器件，其特征在于，包括：由下到上依次排布的基板、金属反射电极、有机层、金属半透明电极和DBR；其中，所述金属反射电极、所述有机层和所述金属半透明电极构成第一微腔；所述金属半透明电极与所述DBR构成第二微腔。2.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述金属反射电极为Al或Ag。3.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述金属反射电极的厚度大于100nm。4.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述有机层包括：空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、空穴阻挡层和电子阻挡层。5.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述金属半透明电极为Al或Ag。6.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹辰辉，税新凤，庞玉东，魏斌，
申请(专利权)人：安徽秀朗新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：