【技术实现步骤摘要】
本技术提供一种以晶体管脉冲充电式反时限控制电路为主电路的多功能保护器。现有的保护器如过流保护器,漏电保护器欠压保护器等一般电磁式和热继电器式保护器其灵敏度和速动性有限。近期出现的晶体管式保护器,虽然具有良好的灵敏度和速动性但可靠性差,误动作多,一般要达到较长延时的反时限特性往往遇到一定困难。本技术的目的是提供一种以晶体管脉冲充电式反时限控制电路为主,具有通用多功能,良好的选择性,灵敏度高,可靠性高及速动性较理想的多功能保护器。本技术是这样来完成的它主要由“上限”检测控制的晶体管脉冲充电式反时限保护电路,“下限”检测控制的短时延时保护电路,“上上限”检测控制的瞬时保护电路,启动闭锁电路,可控硅V21和继电器K组成;所述的“上限”检测控制的晶体管脉冲充电式反时限保护电路由电阻R10、电容C4,单结晶体管V13,三极管V17、电容C6,可控硅V21及继电器K组成;所述的“下限”检测控制的短时延时保护电路由二极管V2(二极管V5、V8)、稳压二极管V15、电阻R14分压电路,三极管V17、电容C6,可控硅V21及继电器R组成;所述的“上上限”检测控制的瞬时保护电路(1)过流保护由稳压二极管V10、电阻R11、R12分压电路,通过二极管V11连接可控硅V21及继电器K组成;(2)过压保护,由稳压二极管V22、电阻R24、R25通过二极管V23连接可控硅V21及继电器K组成;(3)漏电保护,由电阻R41、R42分压电路通过二极管V32,连接可控硅V21及继电器K组成;(4)欠压保护,由电阻R31、R32分压电路通过二极管V27,连接可控硅V21及继电器K组成;所 ...
【技术保护点】
一种多功能保护器,其特征在于它由“上限”检测控制的晶体管脉冲充电式反时限保护电路,“下限”检测控制的短时延时保护电路,“上上限”检测控制的瞬时保护电路,启动闭锁电路,可控硅V21和继电器K组成。
【技术特征摘要】
1.一种多功能保护器,其特征在于它由“上限”检测控制的晶体管脉冲充电式反时限保护电路,“下限”检测控制的短时延时保护电路,“上上限”检测控制的瞬时保护电路,启动闭锁电路,可控硅V21和继电器K组成。2.根据权利要求1所述的多功能保护器,其特征在于“上限”检测控制的晶体管脉冲充电式反时限保护电路由电阻R10、电容C4、单结晶体管V13、三极管V17、电容C6,可控硅V21及继电器K组成。3.根据权利要求1所述的多功能保护器,其特征在于“下限”检测控制的短时延时保护电路由二极管V2(二极管V5、V8)、稳压二极管V15,电阻R14分压电路,三极管V17、电容C6,可控硅V21及继电器...
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