激光脉冲增强型分子束外延系统的PLEES制备系统技术方案

本发明专利技术公开了激光脉冲增强型分子束外延系统的PLEES制备系统，涉及纳米级薄膜技术领域；它的制备方法为：纯度为99.95%的Bi2Te3靶材和纯度为99.99%的Te靶材按1:1进行拼接形成混合靶材，并被置于外延室内；利用准分子激光器产生的激光束将混合靶材打散形成等离子束，分散的Bi原子和Te原子在另一侧衬底上沉积逐渐生长出纳米级薄膜；本发明专利技术的混合靶材能够极好地解决薄膜在生长过程中由于Te原子补充不足而出现的原子空位这个问题；保证了每一层外延膜的元素比例正确和Bi2Te3晶体的稳定生长；简化了操作流程，降低了生产成本，提高了薄膜生长速度，同时又能保证薄膜的生长质量。同时又能保证薄膜的生长质量。同时又能保证薄膜的生长质量。

【技术实现步骤摘要】
激光脉冲增强型分子束外延系统的PLEES制备系统


[0001]本专利技术属于纳米级薄膜
，具体涉及激光脉冲增强型分子束外延系统的PLEES制备系统。

技术介绍

[0002]拓扑绝缘体的研究离不开薄膜技术的发展进步，因为就目前而言，所有的拓扑绝缘体性质包括各种霍尔效应的证实都是在薄膜试样材料上观察得到的。同时，由于在实验室中对拓扑绝缘体材料的探索逐步深入，这就对如何制备高质量拓扑绝缘体薄膜提出了更高要求。目前制备拓扑绝缘体尤其是第二代拓扑绝缘体材料的常见方法如下：磁控溅射，化学气相沉积法(CVD)，金属有机物化学气相法(MOCVD)，分子束外延法(MBE)等。寻找到合适的实验材料，对应最恰当的合成方式，使用最佳的实验条件将对获得高质量的拓扑绝缘体起到重要影响，而制备出高质量的试样材料又对探究其奇异性能有重要意义。
[0003]常见的实验室制备拓扑绝缘体方法为MBE(分子束外延)，该系统原理为通过束源炉加热不同靶材产生束流源，不用束流源通过相应比例混合最终沉积在衬底上。该方式制备的薄膜质量高，但是复杂的系统构造和操作方式，高昂的造价，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.激光脉冲增强型分子束外延系统的PLEES制备系统，其特征在于：它的制备方法为：纯度为99.95%的Bi2Te3靶材和纯度为99.99%的Te靶材按1:1进行拼接形成混合靶材，并被置于外延室内；利用准分子激光器产生的激光束将混合靶材打散形成等离子束，分散的Bi原子和Te原子在另一侧衬底上沉积逐渐生长出纳米级薄膜。2.根据权利要求1所述的激光脉冲增强型分子束外延系统的PLEES制备系统，其特征在于：所述衬底被选择为单面抛光的Al2O3材料，由于纯净的衬底表面有利于薄膜生长，衬底在使用前被进行了标准清洗流程。3.根据权利要求2所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王暄，郑玥乾，
申请(专利权)人：哈尔滨理工大学，
类型：发明
国别省市：