高阻硅外延片生长方法及生长设备技术

本公开提供了一种高阻硅外延片生长方法及生长设备，属于半导体器件制备技术领域。先对高阻硅衬底依次进行F等离子体处理与N等离子体处理，F等离子体对高阻硅衬底的表面进行处理，一方面F等离子体不易渗入高阻硅衬底中出现高阻硅衬底电性出现问题的情况；另一方面F等离子体可以增强高阻硅衬底表面的电负性。在后续N等离子体处理的过程中，N等离子体处理与F等离子体处理在高阻硅衬底的表面可以形成非常致密且绝缘的保护层。有效避免了后续生长的AlN缓冲层、GaN外延层及PN半导体中Al原子或Ga原子混合或者掺杂进高阻硅衬底中，保证了高阻硅衬底的绝缘状态，减少了高阻硅衬底的寄生电容区，降低了射频器件在应用中引入的损耗。降低了射频器件在应用中引入的损耗。降低了射频器件在应用中引入的损耗。

【技术实现步骤摘要】
高阻硅外延片生长方法及生长设备


[0001]本公开涉及半导体器件制备
，特别涉及一种高阻硅外延片生长方法及生长设备。

技术介绍

[0002]功率和射频器件是常见的半导体光电转换器件，主要起到通信作用，高阻硅外延片是用于制备各种功率与射频器件的基础结构。
[0003]高阻硅外延片通常包括依次层叠的高阻硅衬底、AlN缓冲层、GaN外延层及PN半导体。高阻硅外延片在实际生长的过程中，AlN缓冲层中的Al原子容易扩展进高阻硅衬底，而GaN外延层中的Ga原子也存在侵蚀高阻硅衬底的问题，导致最终得到的高阻硅衬底变化为半导通状态。半导通状态的高阻硅衬底引入了寄生电容区，在射频器件应用中引入了损耗，限制了相关器件在高频段的应用，降低了高阻硅外延片制备得到的射频器件的通用性。

技术实现思路

[0004]本公开实施例提供了一种高阻硅外延片生长方法及生长设备，能够提高高阻硅外延片制备得到的射频器件的通用性。所述技术方案如下：
[0005]本公开实施例提供了一种高阻硅外延片生长方法，所述高阻硅外延片生长方法包括：
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高阻硅外延片生长方法，其特征在于，所述高阻硅外延片生长方法包括：提供一高阻硅衬底；对所述高阻硅衬底依次进行F等离子体处理与N等离子体处理；在所述高阻硅衬底上依次生长AlN缓冲层、GaN外延层及PN半导体。2.根据权利要求1所述的高阻硅外延片生长方法，其特征在于，在100～500℃的条件下对所述高阻硅衬底依次进行F等离子体处理与N等离子体处理。3.根据权利要求1所述的高阻硅外延片生长方法，其特征在于，对所述高阻硅衬底进行F等离子体处理的功率为50～300W。4.根据权利要求3所述的高阻硅外延片生长方法，其特征在于，对所述高阻硅衬底进行F等离子体处理的时长为60～200s。5.根据权利要求1～4任一项所述的高阻硅外延片生长方法，其特征在于，对所述高阻硅衬底进行N等离子体处理的功率为100～400W。6.根据权利要求5所述的高阻硅外延片生长方法，其特征在于，对所述高阻硅衬底进行N等离子体处理的时长为1...

【专利技术属性】
技术研发人员：王群，龚逸品，茅艳琳，李鹏，王江波，
申请(专利权)人：华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：