显示面板、制作方法及显示装置制造方法及图纸

本申请公开一种显示面板、制作方法及显示装置。显示面板包括：基板；有源层，设于基板上；栅极绝缘组合，设于有源层上；层间介电层，设于栅极绝缘组合上，设第一过孔穿透栅极绝缘组合暴露有源层；第一金属层，设于层间介电层上，沉积第一过孔中；第一平坦层，覆盖第一金属层和层间介电层，设第二过孔暴露第一金属层；第二金属层，设于第一平坦层上，沉积第二过孔中；电极绝缘组合，设于第二金属层上；第二平坦层，设于电极绝缘组合上，设第三过孔穿透电极绝缘组合暴露第二金属层；像素阳极层，设于第二平坦层上，沉积第三过孔中。本申请通过直接开孔连接像素阳极层与第二金属层，规避了像素阳极层与电极走线连接而接触阻抗变大的问题。与电极走线连接而接触阻抗变大的问题。与电极走线连接而接触阻抗变大的问题。

【技术实现步骤摘要】
显示面板、制作方法及显示装置


[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种显示面板、制作方法及显示装置。

技术介绍

[0002]目前更大的屏占比已成为未来发展趋势之一，即全面屏技术；实现全面屏，屏下摄像头技术为其关键因素之一，下面简称CUP(Camera under Panel，屏下摄像头)技术。目前其主流技术为使用透明PI(有机材料，柔性面板衬底)加透明电极走线来提高光透过率，使成像效果达到最优化；通过透明电极走线实现AA(Active Area，可操作区)区TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)驱动CUP区域像素；其缺点为AA区阳极Anode(像素阳极层)与下方SD(Source/Drain)金属间通过2层透明电极ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)来进行连接(Fig1)，由于ITO金属本身不稳定且电阻值较大，会使Anode与SD间接触阻抗变大而影响EL发光效率及显示效果。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供一种显示面板、制作方法及显示装置，通过在第二平坦层及电极绝缘组合直本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：基板；有源层，设于所述基板上；栅极绝缘组合，设于所述有源层和所述基板上；层间介电层，设于所述栅极绝缘组合上，所述层间介电层设有第一过孔，且所述第一过孔穿透所述栅极绝缘组合暴露所述有源层的一部分；第一金属层，设于所述层间介电层上，且所述第一金属层沉积在所述第一过孔中与所述有源层接触；第一平坦层，所述第一平坦层覆盖所述第一金属层和所述层间介电层，所述第一平坦层设有第二过孔，且所述第二过孔暴露所述第一金属层的一部分；第二金属层，设于所述第一平坦层上，且所述第二金属层沉积在所述第二过孔中与所述第一金属层接触；电极绝缘组合，设于所述第二金属层和所述第一平坦层上；第二平坦层，设于所述电极绝缘组合上，所述第二平坦层设有第三过孔，且所述第三过孔穿透所述电极绝缘组合暴露所述第二金属层的一部分；像素阳极层，设于所述第二平坦层上，且所述像素阳极层沉积在所述第三过孔中与所述第二金属层接触。2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述栅极绝缘组合包括：第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层覆盖所述有源层和所述基板；第一栅极层，设于所述第一栅极绝缘层上；第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层覆盖所述第一栅极层和所述第一栅极绝缘层；第二栅极层，设于所述第一栅极绝缘层上；所述层间介电层覆盖所述第二栅极层和所述第二栅极绝缘层，所述第一过孔穿透所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层暴露所述有源层的一部分。3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述有源层包括沟道区和设于所述沟道区两侧的导体区，所述第一栅极层与所述沟道区相对设置，所述第一金属层与所述两侧的导体区接触。4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述电极绝缘组合包括：第一电极绝缘层，所述第一电极绝缘层覆盖所述第二金属层和所述第一平坦层上；第一电极层，设于所述第一电极绝缘层上；第二电极绝缘层，所述第二电极绝缘层覆盖所述第一电极层和所述第一电极绝缘层，所述第二电极绝缘层设有第四过孔，且所述第四过孔穿透所述第一电极层和所述第一电极绝缘层暴露所述第二金属层的一部分；第二电极层，设于所述第一电极绝缘层上，且所述第二电极层沉积在所述第四过孔中与所述第二金属层接触；所述第二平坦层覆盖所述第二电极层和所述第二电极绝缘层，所述第三过孔穿透所述第一电极绝缘层和所述第二电极绝缘层暴露所述第二金属层的一部分。5.如权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：顺布乐，郝翠玉，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：