发光装置及包括发光装置的电子设备制造方法及图纸

技术编号:33371656 阅读:21 留言:0更新日期:2022-05-11 22:37
本申请涉及发光装置和包括发光装置的电子设备。所述发光装置包括:第一电极;面对所述第一电极的第二电极;堆叠在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的m个发射单元;以及各自在所述m个发射单元中的两个相邻发射单元之间的m

【技术实现步骤摘要】
发光装置及包括发光装置的电子设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年11月10日提交韩国知识产权局的第10

2020

0149593号韩国专利申请的优先权和权益,所述韩国专利申请的全部内容通过援引据此并入。


[0003]一个或多于一个的实施方案涉及发光装置以及包括发光装置的电子设备。

技术介绍

[0004]发光装置是将电能转化成光能的装置。发光装置包括有机发光装置、量子点发光装置等。
[0005]有机发光装置是自发射装置,其具有广视角、高对比度、短响应时间,和/或在亮度、驱动电压和/或响应速度方面的优异的特性,和/或产生全色图像。量子点发光装置具有高颜色纯度和高发光效率,并且产生全色图像。
[0006]发光装置可以具有其中第一电极布置在衬底上,并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次形成在第一电极上的结构。由第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区朝向发射层移动,并且由第二电极提供的电子可以通过电子传输区朝向发射层移动。诸如空穴和电子的载本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.发光装置,包括:第一电极;面对所述第一电极的第二电极;堆叠在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的m个发射单元;以及各自位于所述m个发射单元中的两个相邻发射单元之间的m

1个电荷产生层,其中m是2或大于2的整数,所述m个发射单元中的至少一个包括在所述第一电极与所述发射层之间的无机混合层,以及所述无机混合层包含无机绝缘材料和无机半导体材料。2.如权利要求1所述的发光装置,其中所述第一电极是阳极,所述第二电极是阴极,以及所述m个发射单元中最靠近所述第一电极的第一发射单元包括所述无机混合层。3.如权利要求1所述的发光装置,其中所述第一电极是阳极,所述第二电极是阴极,所述m个发射单元中最靠近所述第一电极的第一发射单元包括第一发射层和在所述第一电极与所述第一发射层之间的第一空穴传输区,以及所述第一空穴传输区包括所述无机混合层。4.如权利要求3所述的发光装置,其中所述无机混合层直接接触所述第一电极。5.如权利要求3所述的发光装置,其中所述第一空穴传输区进一步包括在所述第一发射层与所述无机混合层之间的第一空穴传输层和第二空穴传输层,以及所述第二空穴传输层在所述第一空穴传输层与所述第一发射层之间。6.如权利要求1所述的发光装置,其中所述第一电极是阳极,所述第二电极是阴极,所述m个发射单元中的第n发射单元包括所述无机混合层,以及n是满足1<n≤m的整数。7.如权利要求1所述的发光装置,其中所述第一电极是阳极,所述第二电极是阴极,所述m个发射单元中的第n发射单元包括第n发射层和在所述第一电极与所述第n发射层之间的第n空穴传输区,n是满足1<n≤m的整数,以及所述第n空穴传输区包括所述无机混合层。8.如权利要求1所述的发光装置,其中所述无机绝缘材料包括碱金属的卤化物、碱土金属的卤化物、镧系金属(III)的卤化物、13族后过渡金属的卤化物或其任意组合。9.如权利要求1所述的发光装置,其中所述无机绝缘材料包括碱金属的氟化物、碱金属的氯化物、碱金属的溴化物、碱金属的碘化物、碱土金属的氟化物、碱土金属的氯化物、碱土
金属的溴化物、碱土金属的碘化物、镧系金属(III)的氟化物、镧系金属(III)的氯化物、镧系金属(III)的溴化物、镧系金属(III)的碘化物、13族后过渡金属的氟化物、13族后过渡金属的氯化物、13族后过渡金属的溴化物、13族后过渡金属的碘化物或其任意组合。10.如权利要求1所述的发光装置,其中所述无机半导体材料包括过渡金属的卤化物;14族、15族或16族后过渡金属的卤化物;镧系金属(II)的卤化物;碲;过渡金属的碲化物;后过渡金属的碲化物;镧系金属(II)的碲化物;硒;过渡金属的硒化物;...

【专利技术属性】
技术研发人员:金东赞李东熙李哲淳李海明韩沅锡贾允硕文智永尹智焕尹熙敞李智慧李学忠赵尹衡韩明锡
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:

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