用于脉冲发生器的栅极驱动电路制造技术

本发明专利技术提供了一种用于脉冲发生器的栅极驱动电路，包括驱动电路；所述驱动电路能够连接多个开关管Q的栅极；所述开关管Q串联。本发明专利技术解决了SiCMOS串联应用于高压脉冲开关、刚性脉冲调制、高压脉冲电源等架构下SiCMOS的栅极浮动驱动问题。浮动驱动问题。浮动驱动问题。

【技术实现步骤摘要】
用于脉冲发生器的栅极驱动电路


[0001]本专利技术涉及驱动电路的
，具体地，涉及一种用于脉冲发生器的栅极驱动电路。尤其是，优选的涉及一种用于高压脉冲发生器的SiCMOS栅极驱动电路。

技术介绍

[0002]在X光机、医疗电源、离子发生器、激光器、雷达等领域，需要产生2.2kV到几百kV的功率脉冲信号，不同的应用领域对功率脉冲信号的上升时间、下降时间、以及反向恢复功率大小等要求越小越好，开关重复频率高(10kHz以上)、脉宽窄(小于100ns)，因此以往采用IGBT作为脉冲开关的方式很难满足新的需求。第三代半导体SiCMOS(Silicon Carbide MOSFETs，碳化硅场效应晶体管)具有的高压、高频、低开关损耗等特点是该领域应用的最佳选择。IGBT英文全称为Insulated Gate Bipolar Transistor，中文译文为绝缘栅双极型晶体管。
[0003]SiCMOS栅极驱动可利用现有硅基MOS或IGBT专业集成驱动器进行改造，或者利用分离器件自行搭建驱动。利用专业驱动器存在串联高压悬浮驱动时存在驱动型信号和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于脉冲发生器的栅极驱动电路，其特征在于，包括驱动电路和多个开关管；所述驱动电路能够连接多个开关管的栅极；所述开关管串联。2.根据权利要求1所述的用于脉冲发生器的栅极驱动电路，其特征在于，首个所述开关管的漏极接电压正压端；相邻所述开关管之间的漏极和源极连接；末尾开关管的源极接地。3.根据权利要求1所述的用于脉冲发生器的栅极驱动电路，其特征在于，所述驱动电路包括脉冲变压器、多个栅极开通关断时间调整电路和多个栅极正负压驱动电压形成电路；所述栅极开通关断时间调整电路、栅极正负压驱动电压形成电路和开关管对应设置；所述脉冲变压器连接栅极开通关断时间调整电路；所述栅极开通关断时间调整电路对应连接栅极正负压驱动电压形成电路；所述栅极正负压驱动电压形成电路对应连接开关管的栅极。4.根据权利要求3所述的用于脉冲发生器的栅极驱动电路，其特征在于，所述驱动电路还包括功率放大电路；所述脉冲变压器包括初级线圈和多个次级线圈；所述功率放大电路连接初级线圈的第1端口和第2端口；所述次级线圈和栅极开通关断时间调整电路对应设置；所述次级线圈的第1端口对应连接栅极开通关断时间调整电路；所述次级线圈的第2端口对应连接开关管的源级。5.根据权利要求4所述的用于脉冲发生器的栅极驱动电路，其特征在于，所述栅极开通关断时间调整电路包括第一电阻、第二电阻和第...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈普选，雷彦，
申请(专利权)人：北京绿能芯创电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：