不加反并联续流二极管的全SiC功率模块制造技术

本发明专利技术公开一种不加反并联续流二极管的全SiC功率模块，4组MOSFET并联组由七片SiC MOSFET裸片并联组成，2组SiC SDB并联组由5片SiC SDB裸片并联；采用上述方案后，本发明专利技术模块采用全SiC芯片，损耗降低30％以上，最高工作温度提高25℃以上，同时降低了全SiC模块的材料成本，使得整体成本与增加反并联续流二极管的全SiC功率模块相比降低30％以上。全SiC功率模块相比降低30％以上。全SiC功率模块相比降低30％以上。

【技术实现步骤摘要】
不加反并联续流二极管的全SiC功率模块


[0001]本专利技术涉及芯片技术，特指功率模块。

技术介绍

[0002]智能功率模块是以IGBT为内核的先进混合集成功率部件，由高速低功耗管芯(IGBT)和优化的门极驱动电路，以及快速保护电路构成。IPM内部集成了能连续检测IGBT电流和温度的实时检测电路，当发生严重过载甚至直接短路时，以及温度过热时，IGBT将被有控制地软关断，同时发出故障信号。目前市场上功率模块基本都是由Si基功率芯片或Si基功率芯片和SiC功率芯片混合封装而成，由于Si基IGBT芯片本身特征的限制，必须并联一续流的肖特基二极管才能正常工作，如图1所示，每个IGBT芯片1`并联续流二极管2`，Mos管体二极管导通电阻较大，采用Mos管体二极管续流将带来额外的损耗，影响着模块整体的成本、尺寸及散热。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种低模块成本、高模块功率密度、工艺制程简单、模块成品率高的不加反并联续流二极管功率模块。
[0004]为达成上述目的，本专利技术一种不加反并联续流二极管的全SiC本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.不加反并联续流二极管的全SiC功率模块，在DBC模板上设有两个并设的模组，在每个模组上均设有两组MOSFET并联组和一组SiC SDB并联组，其特征在于：所述的每组MOSFET并联组由七片额定电压1200V、额定电流40A的SiC MOSFET...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢嵩岳，林少峰，陈永华，江天，张虹朗，
申请(专利权)人：厦门三优光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：