温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开一种不加反并联续流二极管的全SiC功率模块，4组MOSFET并联组由七片SiC MOSFET裸片并联组成，2组SiC SDB并联组由5片SiC SDB裸片并联；采用上述方案后，本发明模块采用全SiC芯片，损耗降低30％以上，最高工...
该专利属于厦门三优光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门三优光电股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。