一种钙钛矿量子点发光二极管及其制备方法和应用技术

本发明专利技术提供一种钙钛矿量子点发光二极管及其制备方法和应用。本发明专利技术的钙钛矿量子点发光二极管包括依次层叠设置的基体层、空穴传输层、电子阻挡层、钙钛矿量子点发光层、空穴阻挡层、电子传输层和导电电极层；其中，所述空穴传输层为聚3，4

【技术实现步骤摘要】
一种钙钛矿量子点发光二极管及其制备方法和应用


[0001]本专利技术属于发光二极管
，更具体地，涉及一种钙钛矿量子点发光二极管及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]钙钛矿量子点发光二极管具有窄的发射峰宽、可调谐的发光带隙、高的量子产率和低成本的溶液处理特性，广泛应用在显示和照明领域。
[0003]钙钛矿量子点发光二极管主要包括基体层、空穴传输层、钙钛矿量子点发光层、电子传输层和导电电极层。而由于发光层的钙钛矿量子点(PeQDs)具有价带最大值(VBM)和导带最小值(CBM)，是典型的以空穴为主导的发射层。因此，选择合适的材料作为空穴传输层是提高钙钛矿量子点发光二极管发光性能的关键之一。
[0004]聚3，4
‑
乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT:PSS，简称PEDOT)是常用的空穴传输层材料。然而，PEDOT(～5.0eV)和钙钛矿量子点(～5.5
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6.2eV)之间的VBM差异较大，抑制了空穴的注入，导致载流子注入不平衡，进而导致制得的器件存在外量子效率较低和发光不稳定的问本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种钙钛矿量子点发光二极管，其特征在于，包括依次层叠设置的基体层、空穴传输层、电子阻挡层、钙钛矿量子点发光层、空穴阻挡层、电子传输层和导电电极层；其中，所述空穴传输层为聚3，4
‑
乙烯二氧噻吩
‑
聚苯乙烯磺酸盐层，空穴传输层的厚度为40～55nm。2.根据权利要求1所述钙钛矿量子点发光二极管，其特征在于，所述钙钛矿量子点发光层厚度为30～50nm，钙钛矿量子点为CsPbI
x
Br3‑
x
、CsPbBr
x
Cl3‑
x
或CsPbI
x
Cl3‑
x
，其中0<x<3。3.根据权利要求2所述钙钛矿量子点发光二极管，其特征在于，所述钙钛矿量子点为CsPbBrI2。4.根据权利要求1所述钙钛矿量子点发光二极管，其特征在于，所述电子阻挡层为聚
‑
三苯胺层，电子阻挡层的厚度为5～15nm。5.根据权利要求1所述钙钛矿量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴阻挡层为1,3,5
‑
三(1
‑
苯基
‑
1H
‑
苯并咪唑
‑2‑

【专利技术属性】
技术研发人员：钱艳楠，周鑫，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：