发光装置及包括发光装置的电子设备制造方法及图纸

本申请涉及发光装置，所述发光装置包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；堆叠在所述第一电极与所述第二电极之间并且各自包括发射层的m个发光单元；以及分别在所述m个发光单元中的两个相邻发光单元之间的m

【技术实现步骤摘要】
发光装置及包括发光装置的电子设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年11月10日向韩国知识产权局提交的第10
‑
2020
‑
0149590号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过援引据此并入。


[0003]本公开内容的一个或多于一个的实施方案涉及发光装置及包括发光装置的电子设备。

技术介绍

[0004]发光装置是将电能转化成光能的装置。此类发光装置的实例包括使用有机材料用于发射层的有机发光装置、使用量子点用于发射层的量子点发光装置等。
[0005]在发光装置中，第一电极在衬底上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次形成在第一电极上。由第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区朝向发射层移动，并且由第二电极提供的电子可以通过电子传输区朝向发射层移动。诸如空穴和电子的载流子在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态，从而产生光。

技术实现思路

[0006]本说明书的实施方案提供了具有低驱动电压、高发光效率、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.发光装置，包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；堆叠在所述第一电极与所述第二电极之间并且各自包括发射层的m个发光单元；以及分别在所述m个发光单元中的两个相邻发光单元之间的m
‑
1个电荷产生层，其中m是2或大于2的整数，除了与所述第二电极相邻的发光单元之外的所述m
‑
1个发光单元中的至少一个包括在所述发射层与所述第二电极之间的n
‑
掺杂的电子传输层，在所述n
‑
掺杂的电子传输层上的电荷产生层包括与所述n
‑
掺杂的电子传输层直接接触的p
‑
型电荷产生层，所述n
‑
掺杂的电子传输层包含第一电子传输材料、第二电子传输材料和金属，所述第一电子传输材料和所述第二电子传输材料彼此不同，以及所述第一电子传输材料是包含菲咯啉基团、氧化膦基团、硫化膦基团或其任意组合的化合物。2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一电子传输材料是由式1和式2中的任一种表示的化合物或其任意组合：式1式1A＊
‑
(L
11
)
a11
‑
(Ar
11
)
b11
式2其中，在式1、式1A和式2中，CY1是未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团，X
21
是O或S，L
11
、L
21
至L
23
各自独立地是未取代的或被至少一个R
10a
取代的二价C3‑
C
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的二价C1‑
C
60
杂环基团，Ar
11
、Ar
21
和Ar
22
各自独立地是未取
式2
‑
2式2
‑
3其中，在式1
‑
1至式1
‑
3和式2
‑
1至式2
‑
3中，Z
11
是N或C(R
13
)，Z
12
是N或C(R
14
)，Z
13
是N或C(R
15
)，Z
21
是N或C(R
21
)，Z
22
是N或C(R
22
)，Z
23
是N或C(R
23
)，X
21
是O或S，X
22
是O、S、N(R
28
)、C(R
28
)(R
29
)或Si(R
28
)(R
29
)，L
11
、L
21
至L
25
各自独立地是未取代的或被至少一个R
10a
取代的二价C3‑
C
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的二价C1‑
C
60
杂环基团，并且Ar
21
至Ar
24
各自独立地是未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团，
a11和a21至a25各自独立地是0至5的整数，R1至R8、R
11
至R
15
和R
21
至R
29
各自独立地是氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基基团、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)或
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)，R
10a
是：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团或硝基基团；各自未取代的或者被氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C3‑
C...

【专利技术属性】
技术研发人员：李锺源，康南洙，朴旻虎，朴兴洙，金珉冏，李炫植，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：