避免或减少可控硅因继电器触点吸合干扰误动作的电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种避免或减少可控硅因继电器吸合干扰误动作的电路，所述的电路通过如下技术方案实现：在现有技术所述电路的基础上，在回路总继电器触电Ｋ１的两端并联一尖峰吸收电路，所述尖峰吸收电路是由电容Ｃ１和电阻Ｒ３串联构成。本实用新型专利技术所述的电路还可以将上述由电容Ｃ１和电阻Ｒ３构成的通路替换为压敏电阻ＶＲ１，使压敏电阻ＶＲ１与回路总继电器Ｋ１构成回路，来实现本实用新型专利技术的目的。本实用新型专利技术所述电路的应用，使得继电器吸合时，避免了可控硅产生的误动作，从而避免产生负载不正常的动作，免除了误动作时造成的设备损坏和人身伤害。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种抗干扰电路，特别是一种避免或减少可控硅因继电器触点吸合干扰误动作的电路，属于电子

技术介绍
在洗衣机/洗碗机等采用可控硅的电路中，一般采用一个继电器作为总的供电控制部件，其后为每路独立的可控硅控制回路，具体结构如图1所示。在这个电路中，当继电器吸合时，可控硅会产生误动作，从而导致负载不正常的动作，这在操作较频繁时更容易发生，这种误动作有时会造成设备的损坏，有时甚至可能会造成人身伤害。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种避免或减少可控硅因继电器触点吸合干扰误动作的电路。本技术所述的电路通过如下技术方案实现一种避免或减少可控硅因继电器触点吸合干扰误动作的电路，所述的电路在继电器触点的两端并联一尖峰吸收电路。所述的尖峰吸收电路是由电容C1和电阻R3的串联电路所构成。所述的尖峰吸收电路的电容C1和电阻R3的串联电路中，C1为10～100nF，R3为50～100Ω。在负载回路总电流小于5A时，所述C1为10～33nF，R3为70～100Ω。在负载回路总电流大于5A时，所述C1为47～100nF，R3为50～70Ω。所述的尖峰吸收电路还可以是压敏电阻VR1，所述压敏电阻VR1并联于回路总继电器K1的触点两端。本技术所述电路在应用于实际产品后，经过验证，可以避免绝大多数情况下的可控硅误动作。本技术所述电路的应用，使得继电器吸合时，避免了可控硅产生的误动作，从而避免产生负载不正常的动作，免除了误动作时造成的设备损坏和人身伤害。附图说明图1为现有技术中采用可控硅的电路图。图2为本技术优选实施例。图3为本技术另一实施例。具体实施方式实施例1见图2，在回路总继电器K1的两端设置一电容C1和电阻R3构成的通路，其与回路总继电器K1构成一回路。其中，电路中Q1、Q2为可控硅，用于控制负载LD1、LD2的通断；R1、R2为可控硅控制极限流电阻；K1为回路总继电器，D1为继电器控制回路的续流二极管；C1为电容，R3为电阻，VR1为压敏电阻；C1和R3组成一个RC尖峰吸收回路，吸收来自继电器吸合过程产生的干扰尖峰。实施例2见图3，与实施例1不同的是，所述的电路将实施例1中的由电容Cl和电阻R3构成的通路替换为压敏电阻VR1，使压敏电阻VR1与回路继电器K1构成回路。上述VR1与回路总继电器K1构成的回路同样可以吸收来自继电器吸合过程产生的干扰尖峰。在应用压敏电阻VR1替代C1和R3组成RC回路时，其电路吸收效果要比组容电路差一些，但在负载小于5A的场合仍然可以很好的满足本技术的目的。与此同时，采用压敏电阻VR1的成本要比组容吸收电路略低一些。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种避免或减少可控硅因继电器触点吸合干扰误动作的电路，其特征在于，所述的电路在继电器触点的两端并联一尖峰吸收电路。

【技术特征摘要】
1.一种避免或减少可控硅因继电器触点吸合干扰误动作的电路，其特征在于，所述的电路在继电器触点的两端并联一尖峰吸收电路。2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述的尖峰吸收电路是由电容C1和电阻R3的串联电路所构成。3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述的尖峰吸收电路的电容C1和电阻R3的串联电路中，C1为10～100nF，R3为50～100Ω。4....

【专利技术属性】
技术研发人员：姜德志，许升，张惠玉，黄静莉，徐忠朝，宋军，
申请(专利权)人：海尔集团公司，青岛海尔洗衣机有限公司，
类型：实用新型
国别省市：95[中国|青岛]