一种贴片锥形宽带电感制造技术

本实用新型专利技术公开了一种贴片锥形宽带电感，包括介质片、绝缘框架、锥形线圈和磁芯，介质片承接绝缘框架，绝缘框架承接锥形线圈，磁芯放置在锥形线圈内；介质片的上表面设置左电极和右电极，左电极和右电极分别通过左引线和右引线与锥形线圈的左端和右端连接；介质片的下表面设置有左导电底脚和右导电底脚，左导电底脚通过左侧导电层与左电极连接，右导电底脚通过右侧导电层与右电极连接。本实用新型专利技术的锥形线圈通过引线与介质板上的电极、侧导电层和导电底脚实现电连接，介质片上的导电底脚贴装焊接在电路板上后，可以使得电感整体快速安装在电路板上，且对锥形线圈安装的高度与角度有着很好的保障作用。好的保障作用。好的保障作用。

【技术实现步骤摘要】
一种贴片锥形宽带电感


[0001]本技术属于电感领域，更具体地，涉及一种贴片锥形宽带电感。

技术介绍

[0002]在雷达、导航、电子对抗及通讯等设备中的宽带放大器和Bias
‑
T(T 型偏置器)等器件设计时，传统的绕线电感已满足不了宽带工作的性能要求，锥形电感用细导线绕成，电感的尺寸较小，因此杂散电容较小，它的结构有效展宽了传统绕线电感的工作带宽，锥形电感成为了宽带设备设计时的最佳选择。
[0003]锥形电感在使用时，锥形线圈一般被要求尽量与电路保持距离，并成一定的角度安装于电路(锥面最下方的母线不能与电路板平行)，以减少锥形线圈与电路形成寄生电容和产生自谐振荡。而锥形线圈的绕线一般较细且锥形线圈内部如果还有磁芯，在安装时很难保证安装要求，限制了使用锥型电感的放大器和Bias
‑
T等电路的自动化和规模化生产。
[0004]专利CN207068587U公开了一种贴片式锥形电感，其将锥形线圈下埋入绝缘基片形成所需要的45
°
～60
°
的安装角度，但是该方法制作的电感厚度和体积较大，由于电极设计在绝缘片的上表面，在连接到电路中时，还需要通过导线连接电极和电路，不能实现电感与电路直接贴合的电连接。

技术实现思路

[0005]针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本技术提供了一种贴片锥形宽带电感，其体积小，安装方便，解决了现有贴片电感不能直接与电路贴合进行电连接的问题。
[0006]为实现上述目的，按照本技术，提供了一种贴片锥形宽带电感，其特征在于，包括介质片、绝缘框架、锥形线圈和磁芯，其中：
[0007]所述介质片承接所述绝缘框架，所述绝缘框架上分别设置有左弧形槽和右弧形槽，所述绝缘框架承接所述锥形线圈，并且所述锥形线圈的左端和右端分别放入左弧形槽和右弧形槽内，所述磁芯放置在所述锥形线圈内；
[0008]所述介质片的上表面的左端和右端分别设置左电极和右电极，所述左电极和右电极分别通过左引线和右引线与所述锥形线圈的左端和右端连接；
[0009]所述介质片的下表面的左端和右端分别设置有左导电底脚和右导电底脚，所述介质片的左端面和右端面分别设置有左侧导电层和右侧导电层，所述左导电底脚通过所述左侧导电层与所述左电极连接，所述右导电底脚通过所述右侧导电层与所述右电极连接。
[0010]优选地，所述介质片为低温共烧陶瓷、高温共烧陶瓷或复合介质材料。
[0011]优选地，所述左电极、右电极、左侧导电层、右侧导电层、左导电底脚和/或右导电底脚镀在所述介质片上。
[0012]优选地，所述锥形线圈的中心线水平。
[0013]优选地，所述介质片的厚度为0.25mm～1mm。
[0014]优选地，所述介质层为陶瓷材料，所述左侧导电层和右侧导电层通过陶瓷金属化
工艺形成。
[0015]优选地，所述左引线和右引线分别以熔融的方式与所述左电极和右电极焊接。
[0016]优选地，所述绝缘框架在所述介质片上的投影区域不超出所述介质片的边缘。
[0017]优选地，所述介质片整体呈长方形。
[0018]总体而言，通过本技术所构思的以上技术方案与现有技术相比，能够取得下列有益效果：本技术的贴片锥形宽带电感，锥形线圈通过绝缘框架来进行支承，锥形线圈可以与电路保持一定的距离，可减少锥形电感与电路形成寄生电容和产生自谐振荡，而且锥形线圈通过引线与介质板上的电极、侧导电层和导电底脚实现电连接，介质片上的导电底脚通过焊接贴装焊接在电路板上后，可以让电感整体快速安装在电路板上，且对锥形线圈安装的高度与角度有着很好的保障作用。
附图说明
[0019]图1是本技术的主视图；
[0020]图2是本技术的俯视图；
[0021]图3是本技术的仰视图
[0022]图4是本技术的左视图；
[0023]图5是本技术的右视图。
[0024]在所有附图中，相同的附图标记用来表示相同的元件或结构，其中： 1
‑
介质片，2
‑
绝缘框架，3
‑
锥形线圈，4
‑
磁芯，11
‑
左电极，12
‑
右电极，31
‑ꢀ
左引线，13
‑
左导电底脚，14
‑
右导电底脚，15
‑
左侧导电层，16
‑
右侧导电层。
具体实施方式
[0025]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。此外，下面所描述的本技术各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。
[0026]参照图1～图5，一种贴片锥形宽带电感，包括介质片1、绝缘框架2、锥形线圈3和磁芯4，其中：
[0027]所述绝缘框架2整体呈长方体，其具有长方形的内腔，所述介质片1 整体也呈长方形，所述介质片1的厚度为0.25mm～1mm，优选为0.25mm，介质片1厚度在保证结构强度的情况下尽可能薄。
[0028]所述介质片1承接所述绝缘框架2，两者固定连接在一起，可采用绝缘胶粘结的方式固定，所述绝缘框架2上分别设置有左弧形槽和右弧形槽，所述绝缘框架2承接所述锥形线圈3，并且所述锥形线圈3的左端和右端分别放入左弧形槽和右弧形槽内，则锥形线圈3也伸入到绝缘框架2的内腔中。左弧形槽和右弧形槽的大小与锥形线圈3的端部大小相应，让锥形线圈3的端部卡入槽内，方便固定且不易松动，所述磁芯4放置在所述锥形线圈3内，所述锥形线圈3的中心线水平，磁芯4的中心线与锥形线圈3 的中心线同线，则磁芯4在锥形线圈3内不易掉出。
[0029]所述介质片1的上表面的左端和右端分别设置左电极11和右电极12，所述左电极
11和右电极12分别通过左引线31和右引线32与所述锥形线圈3的左端和右端连接。所述左引线31和右引线32分别以熔融的方式与所述左电极11和右电极12焊接。
[0030]所述介质片1的下表面的左端和右端分别设置有左导电底脚13和右导电底脚14，所述介质片1的左端面和右端面分别设置有左侧导电层15和右侧导电层16，所述左导电底脚13通过所述左侧导电层15与所述左电极11 连接，所述右导电底脚14通过所述右侧导电层16与所述右电极12连接，通过这样的连接方式，使得锥形线圈3与左导电底脚13和右导电底脚14 均实现电连接。
[0031]所述左电极11、右电极12、左侧导电层15，右侧导电层16、左导电底脚13和/或右导电底脚14都可以镀在所述介质片1上，增强可焊性和导电性。所述介质片1为低温共烧陶瓷(LTCC)、高温共烧陶瓷(HTCC)或复合介质材料，优选为低温共烧陶瓷或高温共烧陶瓷，则所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种贴片锥形宽带电感，其特征在于，包括介质片、绝缘框架、锥形线圈和磁芯，其中：所述介质片承接所述绝缘框架，所述绝缘框架上分别设置有左弧形槽和右弧形槽，所述绝缘框架承接所述锥形线圈，并且所述锥形线圈的左端和右端分别放入左弧形槽和右弧形槽内，所述磁芯放置在所述锥形线圈内；所述介质片的上表面的左端和右端分别设置左电极和右电极，所述左电极和右电极分别通过左引线和右引线与所述锥形线圈的左端和右端连接；所述介质片的下表面的左端和右端分别设置有左导电底脚和右导电底脚，所述介质片的左端面和右端面分别设置有左侧导电层和右侧导电层，所述左导电底脚通过所述左侧导电层与所述左电极连接，所述右导电底脚通过所述右侧导电层与所述右电极连接。2.根据权利要求1所述的一种贴片锥形宽带电感，其特征在于，所述介质片为低温共烧陶瓷、高温共烧陶瓷或复合介质材料。3.根据权利要求1所述的一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡良君，陶珺，
申请(专利权)人：武汉硕芯电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：